초록 ▼

半導體의 表面準位와 空間電荷層은 金屬과 크게 다른 特性이다. 正常的으로 界面構造는 空間電荷와 吸着된 이온과 아주 密接한 관계가 있다. 吸着된 이온은 緩行表面準位를 만들며 同時에 새롭게 相(phase)을 形成한다. 따라서, 半導體 - 水性 電解質 界面에서 pn 接合構造와 그에 關聯된 電氣 化確的 現象은 太陽에너지이 電氣 또는 有用한 化學物質로 變換, 燃科電池 및 電氣 化確的 素子등의 開發에 중요한 硏究 課題가 되어 왔다. 本 硏究 課題에서는 도핑된 si 및 GaAs 半導體와 CsNO3 및 KCI 水性 電解質, pH緩衝溶液 界面에서

半導體의 表面準位와 空間電荷層은 金屬과 크게 다른 特性이다. 正常的으로 界面構造는 空間電荷와 吸着된 이온과 아주 密接한 관계가 있다. 吸着된 이온은 緩行表面準位를 만들며 同時에 새롭게 相(phase)을 形成한다. 따라서, 半導體 - 水性 電解質 界面에서 pn 接合構造와 그에 關聯된 電氣 化確的 現象은 太陽에너지이 電氣 또는 有用한 化學物質로 變換, 燃科電池 및 電氣 化確的 素子등의 開發에 중요한 硏究 課題가 되어 왔다. 本 硏究 課題에서는 도핑된 si 및 GaAs 半導體와 CsNO3 및 KCI 水性 電解質, pH緩衝溶液 界面에서 pn接合構造와 그에 關聯된 電流- 電壓 特性을 定性的으로 分析하였다. 특히 이온吸着효과, 活性化 過程, pn 接合構造, 整流 現象, pH 效果, 電氣 化學的 表面 鍊磨, 水素가스 發生등을 循環 電壓 方法으로 硏究 調査하였다.

Abstract ▼

The nature of the space charge layer and the surface states of semiconductors is significantly different from metals. Normally, the interfacial structures are closely interconnected with the space charges and the adsorbed ions. The adsorbed ions not only create the slow surface states but also form

The nature of the space charge layer and the surface states of semiconductors is significantly different from metals. Normally, the interfacial structures are closely interconnected with the space charges and the adsorbed ions. The adsorbed ions not only create the slow surface states but also form the new phases. Therefore, the pn junction structures and the related electrocgemical phenomena at the semiconductor/aqueous electrolyte interfaces have become important topics for the conversion of solar energy to electricity and useful chemicals, and the development of fuel cells and electrochemical devices, etc.. In this prohect, we have qualitatively analyzed the pn junction structures and the related current-voltage characteristics at the doped Si and GaAs semiconductors/CsNO3 and KCI aqueous electrolyte, pH buffer solution interfaces. Especially, effects of adsorbed ions, actibation processes, pn junction structures, rectifying phenomena, pH effects, electrocgemical polisging and gydrogen gas evolution, etc. have been investigated using the cyclic voltammetric method.

목차 Contents

• 목차(본문)...5
• 제 1 장 서론...8
• 제 2 장 반도체-전해질 pn접합 구성 해석...11
• 제 3 장 실험...19
• 제4장 결과 및 고찰...21
• 제 5 장 결론...50
• 인용문헌...52