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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0137655 (2006-12-29) |
공개번호 | 10-2008-0062186 (2008-07-03) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060137655 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명의 반도체 기판의 건조방법은 약 120 내지 150℃를 유지하면서 0.02 내지 0.1 부피%의 이소프로필 알코올 증기를 반도체 기판 표면에 제공하여 상기 반도체 기판에서 탈 이온수를 이소프로필 알코올로 치환함으로써 반도체 기판을 건조시킨다. 따라서, 본 발명은 반도체 기판 표면에 물반점이 형성되는 것을 방지함으로써 신뢰성이 높은 반도체 소자를 제공할 수 있다.
이소프로필 알코올(IPA) 용액을 건조 온도로 가열하여 이소프로필 알코올 증기를 형성하는 단계; 상기 이소프로필 알코올 증기의 양이 0.02 내지 0.1 부피%인 건조 분위기를 형성하는 단계; 및상기 건조 온도를 유지하는 상기 건조 분위기로 반도체 기판을 제공하는 단계를 포함하는 반도체 기판의 건조방법.
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