초록

반사 방지막 효과가 높고, 포토레지스트와의 인터믹싱을 일으키지 않고, ARF엑시머 레이저 및 F2엑시머 레이저 등의 조사광을 이용한 리소그라피 프로세스에서 사용할 수 있는 반사 방지막 및 반사 방지막을 형성하기 위한 조성물을 제공한다.피리미딘트리온 구조, 이미다졸리딘디온(IMIDAZOLIDINEDIONE) 구조, 이미다조리딘트리온 구조 또는 트리아진트리온 구조를 갖는 폴리머 및 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지막 형성 조성물.

대표청구항 ▼

식 (1):(화학식 1)(식 중, A1, A2, A3, A4, A5 및 A6은 각각 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기를 나타내고, X1은 식 (2), 식 (3), 식 (4) 또는 식 (5):(화학식 2)(식 중, R1 및 R2는 각각 수소 원자, 탄소 원자 수 1~6의 알킬기, 탄소 원자 수 3~6의 알케닐기, 벤질기 또는 페닐기를 나타내고, 그리고, 상기 페닐기는 탄소 원자 수 1~6의 알킬기, 할로겐 원자, 탄소 원자 수 1~6의 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 수산기 및 탄소 원자 수 1~6의 알킬티오기로 이루어진 군으로부터 선

식 (1):(화학식 1)(식 중, A1, A2, A3, A4, A5 및 A6은 각각 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기를 나타내고, X1은 식 (2), 식 (3), 식 (4) 또는 식 (5):(화학식 2)(식 중, R1 및 R2는 각각 수소 원자, 탄소 원자 수 1~6의 알킬기, 탄소 원자 수 3~6의 알케닐기, 벤질기 또는 페닐기를 나타내고, 그리고, 상기 페닐기는 탄소 원자 수 1~6의 알킬기, 할로겐 원자, 탄소 원자 수 1~6의 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 수산기 및 탄소 원자 수 1~6의 알킬티오기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기로 치환되어 있을 수 있고, 또한 R1과 R2는 서로 결합하여 탄소 원자 수 3~6의 환을 형성하고 있을 수 있고, R3는 탄소 원자 수 1~6의 알킬기, 탄소 원자 수 3~6의 알케닐기, 벤질기 또는 페닐기를 나타내고, 그리고, 페닐기는 탄소 원자 수 1~6의 알킬기, 할로겐 원자, 탄소 원자 수 1~6의 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 수산기 및 탄소 원자 수 1~6의 알킬티오기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기로 치환되어 있을 수 있다)를 나타내고, Q는 식 (6) 또는 식 (7):(화학식 3)(식 중, Q1은 각각 탄소 원자 수 1~10인 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기 또는 안트릴렌기를 나타내고, 그리고, 상기 페닐렌기, 나프틸렌기 및 안트릴렌기는 각각 탄소 원자 수 1~6의 알킬기, 할로겐 원자, 탄소 원자 수 1~6의 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 수산기 및 탄소 원자 수 1~6의 알킬티오기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기로 치환되어 있을 수 있고, n1 및 n2는 각각 0 또는 1의 수를 나타내고, X2는 식 (2), 식 (3) 또는 식 (5)을 나타냄)을 나타낸다)로 나타내어지는 구조를 갖는 폴리머 및 용제를 포함하는 반사 방지막 형성 조성물.제 1항에 있어서,상기 식 (1)로 나타내어지는 구조를 갖는 폴리머가 식 (8)로 나타내어지는 화합물과 식 (9)로 나타내어지는 화합물과의 반응에 의해 제조되는 폴리머인 반사 방지막 형성 조성물.(화학식 4)(식 중, A1, A2, A3, A4, A5, A6, X1, Q는 제 1항에서 정의된 것과 동일한 의미를 나타낸다)제 1항에 있어서,상기 식 (1)로 나타내어지는 구조를 갖는 폴리머가 식 (10)으로 나타내어지는 화합물과 식 (11)로 나타내어지는 화합물과의 반응에 의해 제조되는 폴리머인 반사 방지막 형성 조성물.(화학식 5)(식 중, A1, A2, A3, A4, A5, A6, X1, Q는 제 1항에서 정의된 것과 동일한 의미를 나타낸다)제 1항에 있어서,상기 식 (1)로 나타내어지는 구조가 식 (12):(화학식 6)(식 중, R1, R2, Q는 제 1에서 정의된 것과 동일한 의미를 나타낸다)로 나타내어지는 구조인 반사 방지막 형성 조성물.제 1항에 있어서,상기 식 (1)로 나타내어지는 구조가 식 (13):(화학식 7)(식 중, X1은 제 1항에서 정의된 것과 동일한 의미를 나타내고, Y는 탄소 원자 수 1~6의 알킬기, 할로겐 원자, 탄소 원자 수 1~6의 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 수산기 및 탄소 원자 수 1~6의 알킬티오기를 나타내고, m은 0 내지 4의 정수를 나타내고, 그리고 m이 2 내지 4인 경우 상기 Y는 동일하거나 상이할 수 있다)로 나타내어지는 구조인 반사 방지막 형성 조성물.제 1항에 있어서,상기 식 (1)로 나타내어지는 구조를 갖는 폴리머가 식 (8)로 나타내어지는 화합물과 식 (9)로 나타내어지는 화합물과의 반응에 의해 제조되고, 실질적으로 식 (1)로 나타내어지는 구조만을 폴리머를 구성하는 반복 단위구조로서 갖는 폴리머인 반사 방지막 형성 조성물.제 1항에 있어서,상기 식 (1)로 나타내어지는 구조를 갖는 폴리머가 식 (10)으로 나타내어지는 화합물과 식 (11)로 나타내어지는 화합물과의 반응에 의해 제조되고, 실질적으로 식 (1)로 나타내어지는 구조만을 폴리머를 구성하는 반복 단위구조로서 갖는 폴리머인 반사 방지막 형성 조성물.제 2항 또는 제 6항에 있어서,상기 식 (8)로 나타내어지는 화합물이 이소시아눌산화합물 또는 바르비툴산화합물인 반사 방지막 형성 조성물.제 2항 또는 제 6항에 있어서,상기 식 (9)로 나타내어지는 화합물이 프탈산디글리시딜에스테르화합물, 테레프탈산디글리시딜에스테르화합물 또는 이소프탈산디글리딜에스테르화합물인 반사 방지막 형성 조성물.제 3항 또는 제 7항에 있어서,상기 식 (10)으로 나타내어지는 화합물이 디글리시딜이소시아눌산화합물 또는 디글리시딜바르비툴산화합물인 반사 방지막 형성 조성물.제 3항 또는 제 7항에 있어서,상기 식 (11)로 나타내어지는 화합물이 바르비툴산화합물, 프탈산화합물, 테레프탈산화합물 또는 이소프탈산화합물인 반사 방지막 형성 조성물.제 1항에 있어서,추가적으로 가교화합물을 포함하는 반사 방지막 형성 조성물.제 12항에 있어서,추가적으로 산화합물을 포함하는 반사 방지막 형성 조성물.제 12항에 있어서,상기 가교성화합물이 메티롤기 또는 알콕시메틸기로 치환된 질소 원자를 2 내지 4개 갖는 함질소화합물인 반사 방지막 형성 조성물.제 13항에 있어서,상기 산화합물이 술폰산화합물, 요오드늄염계 산 발생제 또는 술포늄염계 산 발생제인 반사 방지막 형성 조성물.제 13항에 있어서,상기 산화합물이 요오드늄염계 산 발생제 또는 술포늄염계 산 발생제와 술폰산화합물과의 조합인 반사 방지막 형성 조성물.제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 기재된 반사 방지막 형성 조성물을 반도체 기판 상에 도포하여 소성함으로써 얻어지는 반사 방지막.제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 기재된 반사 방지막 형성 조성물을 반도체 기판상에 도포, 소성하여 반사 방지막을 형성하는 공정, 상기 반사 방지막 상에 포토레지스트층을 형성하는 공정, 상기 반사 방지막과 상기 포토레지스트층으로 피복된 반도체 기판을 노광하는 공정 및 상기 노광 후에 포토레지스트층을 현상하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조에 이용하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.제 18항에 있어서,상기 노광이 ArF엑시머 레이저(파장 193㎚)로 행해지는 포토레지스트 패턴의 형성방법.