초록 ▼

본 발명은, 레지스트패턴의 다단계 현상방법(multi-step developing)에 있어서, 개구율이 다른 영역이 혼합 존재하더라도, 패턴치수(개구치수)에 생기는 편차(偏差)를 방지할 수 있도록 하는 것이다.우선 공정(ST1)에서, 상면에 서로 개구율이 다른 설계패턴이 노광된 레지스트막을 갖는 웨이퍼의 레지스트막 상에 현상액을 공급한다. 다음에, 공정(ST2)에서, 공급된 현상액으로 레지스트막에 현상반응을 진행시킨다. 다음으로, 공정(ST3)에서, 현상 후에 현상액 및 이 현상액에 용해된 레지스트를, 웨이퍼를 회전시킴으로써 떨

본 발명은, 레지스트패턴의 다단계 현상방법(multi-step developing)에 있어서, 개구율이 다른 영역이 혼합 존재하더라도, 패턴치수(개구치수)에 생기는 편차(偏差)를 방지할 수 있도록 하는 것이다.우선 공정(ST1)에서, 상면에 서로 개구율이 다른 설계패턴이 노광된 레지스트막을 갖는 웨이퍼의 레지스트막 상에 현상액을 공급한다. 다음에, 공정(ST2)에서, 공급된 현상액으로 레지스트막에 현상반응을 진행시킨다. 다음으로, 공정(ST3)에서, 현상 후에 현상액 및 이 현상액에 용해된 레지스트를, 웨이퍼를 회전시킴으로써 떨쳐 제거한다. 다음, 공정(ST5)에서, 현상액을 제거한 후, 현상된 레지스트막 상에 린스액을 공급하고, 웨이퍼를 회전시킴으로써 현상액 및 이 현상액에 용해된 레지스트를 씻어낸다. 이 때, 공정(ST3)의 웨이퍼 회전속도는, 공정(ST5)에서의 기판 회전속도의 2분의 1 이하이다.

대표청구항 ▼

상면에 서로 개구율이 다른 설계패턴이 노광된 레지스트로 이루어지는 레지스트막을 갖는 기판의 상기 레지스트막 상에 현상액을 공급하는 현상액 공급공정과,공급된 상기 현상액으로 상기 레지스트막에 현상반응을 진행시키는 현상공정과,상기 현상공정 후에, 상기 기판을 회전시킴으로써, 상기 현상액 및 이 현상액에 용해된 상기 레지스트를 제거하는 현상액 제거공정과,상기 현상액 제거공정 후에, 현상된 상기 레지스트막 상에 린스액을 공급하여, 상기 기판을 회전시킴으로써, 상기 현상액 및 이 현상액에 용해된 레지스트를 씻어내는 린스공정을 구비하며,상기

상면에 서로 개구율이 다른 설계패턴이 노광된 레지스트로 이루어지는 레지스트막을 갖는 기판의 상기 레지스트막 상에 현상액을 공급하는 현상액 공급공정과,공급된 상기 현상액으로 상기 레지스트막에 현상반응을 진행시키는 현상공정과,상기 현상공정 후에, 상기 기판을 회전시킴으로써, 상기 현상액 및 이 현상액에 용해된 상기 레지스트를 제거하는 현상액 제거공정과,상기 현상액 제거공정 후에, 현상된 상기 레지스트막 상에 린스액을 공급하여, 상기 기판을 회전시킴으로써, 상기 현상액 및 이 현상액에 용해된 레지스트를 씻어내는 린스공정을 구비하며,상기 현상액 제거공정에서의 상기 기판 회전속도는, 상기 린스공정에서의 상기 기판 회전속도의 2분의 1 이하인 것을 특징으로 하는 현상방법.