초록

본 발명은 PMMA 패널 등의 기판층에 영향을 주지 않고, 금/티타늄 박막을 동시에 에칭할 수 있는 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법에 관한 것으로서, a) 염산 20 내지 55 중량%, b) 질산 5 내지 25 중량%, c) 불화물 0.1 내지 15 중량%, d) 염소산 1 내지 20 중량%, 및 e) 잔량의 물을 포함하는 금/티타늄 박막 에칭용 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법을 제공한다.

대표청구항

A) 염산 20 내지 55 중량%B) 질산 5 내지 25 중량%C) 불화물 0.1 내지 15 중량%,D) 하기 화학식 1을 갖는 염소산 1 내지 20 중량%, E) 잔량의 물을 포함하는 금/티타늄 박막 에칭용 조성물:[화학식 1]HCLOX식 중, X는 1 내지 4의 정수임.

A) 염산 20 내지 55 중량%B) 질산 5 내지 25 중량%C) 불화물 0.1 내지 15 중량%,D) 하기 화학식 1을 갖는 염소산 1 내지 20 중량%, E) 잔량의 물을 포함하는 금/티타늄 박막 에칭용 조성물:[화학식 1]HCLOX식 중, X는 1 내지 4의 정수임.