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질화 티타늄의 선택적인 에칭을 위한 조성물 및 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09K-013/02
  • C11D-011/00
  • C11D-003/00
  • C11D-003/39
  • C11D-003/395
  • G03F-007/32
출원번호 10-2015-7037164 (2015-12-30)
공개번호 10-2016-0014714 (2016-02-11)
등록번호 10-2338550-0000 (2021-12-08)
우선권정보 미국(US) 61/831,928 (2013-06-06)
국제출원번호 PCT/US2014/041322 (2014-06-06)
국제공개번호 WO 2014/197808 (2014-12-11)
번역문제출일자 2015-12-30
DOI http://doi.org/10.8080/1020157037164
발명자 / 주소
  • 천 리민 / 미국 코네티컷주 ***** 노워크 노스 워터 스트리트 씨*** **
  • 리피 스티븐 / 미국 코네티컷주 ***** 브룩필드 딘 로드 **
  • 쿠퍼 엠마누엘 아이 / 미국 뉴욕주 ***** 스카즈데일 아더스톤 로드 **
  • 송 링얀 / 미국 콜로라도주 ***** 포트 콜린스 프리시젼 드라이브 **** #***
출원인 / 주소
  • 엔테그리스, 아이엔씨. / 미국 매사추세츠 (우편번호 *****) 빌러리카 콩코드 로드 ***
대리인 / 주소
  • 양영준; 김영
심사청구여부 있음 (2019-06-04)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

미세전자 소자로부터 금속 전도, 예컨대 코발트, 루테늄 및 구리, 및 절연 물질에 비해 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 선택적으로 제거하는데 유용한 조성물. 상기 제거 조성물은 하나 이상의 산화제 및 에천트를 함유하고, 선택성을 보장하기 위해 다양한 부식 방지제를 함유할 수 있다.

대표청구항

미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 선택적으로 제거하기 위한 조성물로, 15 중량% 내지 30 중량%의 하나 이상의 산화제, 0.01 중량% 내지 15 중량%의 하나 이상의 에천트, 0.01 중량% 내지 2.0 중량%의 하나 이상의 금속 부식 방지제, 0.01 중량% 내지 1 중량%의 하나 이상의 킬레이트제, 및 하나 이상의 용매를 포함하고,상기 하나 이상의 산화제는 과산화수소, FeCl3, FeF3, Fe(NO3)3, Sr(NO3)2, CoF3, MnF3, 옥손(2KHSO5·HSO4·K

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. [미국] Polishing composition and polishing method employing it | Asano, Hiroshi, Sakai, Kenji, Ina, Katsuyoshi
  2. [국제] COMPOSITION AND METHOD FOR RECYCLING SEMICONDUCTOR WAFERS HAVING LOW-K DIELECTRIC MATERIALS THEREON | VISINTIN, Pamela, M., JIANG, Ping, KORZENSKI, Michael, B., KING, Mackenzie
  3. [미국] ETCHING COMPOSITION, METHOD OF FORMING A METAL PATTERN USING THE ETCHING COMPOSITION, AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY SUBSTRATE | KIM, In-Bae, CHOUNG, Jong-Hyun, PARK, Ji-Young, KIM, Seon-Il, JEONG, Jae-Woo, KIM, Sang Gab, KIM, Sang-Woo, LEE, Ki-Beom, LEE, Dae-Woo, CHO, Sam-Young
  4. [국제] WAFER RECLAMATION COMPOSITIONS AND METHODS | VISINTIN, Pamela, JIANG, Ping, KORZENSKI, Michael, KING, Mackenzie, HAN, Jianwen, HILGARTH, Monica, LIU, Jun, ZHOU, Renjie, MINSEK, David
  5. [미국] STRIPPING LIQUID FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND STRIPPING METHOD | NUKUI,Katsuyuki, Seki,Hiroyuki, Inaba,Tadashi

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 티타늄층 또는 티타늄 함유층의 에칭액 조성물 및 에칭 방법 | 사사키, 료우, 타카하시, 히데키, 요코야마, 타이가
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