초록 ▼

다결정 실리콘의 멜팅 시간을 단축하여 생산성을 향상시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치 및 방법이 개시된다. 상기 단결정 잉곳 성장장치는 다결정 실리콘 또는 실리콘 용융액 중 적어도 하나를 수용하는 석영도가니, 상기 석영도가니에 열을 가하는 히터, 상기 석영도가니와 연결되어 상기 석영도가니를 회전시키는 회전유닛 및 상기 회전유닛의 회전속도를 제어하는 제어유닛을 포함하고, 상기 단결정 잉곳 성장 방법은 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치를 제공하는 단계, 다결정 실리콘을 제공하는 단계, 상기 다결정 실리콘을 석영도가니에 수용하는 단계,

다결정 실리콘의 멜팅 시간을 단축하여 생산성을 향상시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치 및 방법이 개시된다. 상기 단결정 잉곳 성장장치는 다결정 실리콘 또는 실리콘 용융액 중 적어도 하나를 수용하는 석영도가니, 상기 석영도가니에 열을 가하는 히터, 상기 석영도가니와 연결되어 상기 석영도가니를 회전시키는 회전유닛 및 상기 회전유닛의 회전속도를 제어하는 제어유닛을 포함하고, 상기 단결정 잉곳 성장 방법은 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치를 제공하는 단계, 다결정 실리콘을 제공하는 단계, 상기 다결정 실리콘을 석영도가니에 수용하는 단계, 히터에서 상기 석영도가니에 열을 제공하는 단계, 제어유닛에서 회전유닛을 제어하는 단계, 상기 회전유닛이 상기 석영도가니를 회전시키는 단계 및 상기 실리콘이 용융된 경우에, 상부로 끌어올려 잉곳을 성장시키는 단계를 포함하되, 상기 제어유닛은 상기 회전유닛의 제어하여 상기 석영도가니의 회전속도를 1rpm이하가 되도록 구비된다. 따라서, 상기 실리콘의 멜트 대류를 제하여 공정 시간을 단축시켜 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

대표청구항 ▼

다결정 실리콘 또는 실리콘 용융액 중 적어도 하나를 수용하는 석영도가니;상기 석영도가니에 열을 가하는 히터;상기 석영도가니와 연결되어 상기 석영도가니를 회전시키는 회전유닛; 및상기 회전유닛의 회전속도를 제어하는 제어유닛;을 포함하며, 상기 제어유닛은 상기 회전유닛의 회전속도를 1rpm이하로 제어하여 상기 다결정 실리콘의 용융속도를 향상시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치.제 1항에 있어서,상기 히터는 상기 석영도가니 높이의 80~120%에 대응되는 부위에 상기 열을 가하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단

다결정 실리콘 또는 실리콘 용융액 중 적어도 하나를 수용하는 석영도가니;상기 석영도가니에 열을 가하는 히터;상기 석영도가니와 연결되어 상기 석영도가니를 회전시키는 회전유닛; 및상기 회전유닛의 회전속도를 제어하는 제어유닛;을 포함하며, 상기 제어유닛은 상기 회전유닛의 회전속도를 1rpm이하로 제어하여 상기 다결정 실리콘의 용융속도를 향상시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치.제 1항에 있어서,상기 히터는 상기 석영도가니 높이의 80~120%에 대응되는 부위에 상기 열을 가하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장장치.제 1항에 있어서,상기 석영도가니에서 상기 실리콘 용융액을 상부로 끌어올려 실리콘 단결정 잉곳으로 성장시키는 성장유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치.제 3항에 있어서,열실드를 더 포함하고, 상기 열실드는 상기 잉곳과 상기 히터의 사이에 배치되어 상기 히터에서 제공된 열이 상기 잉곳에 제공되는 것을 차단하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치.제 1항에 있어서,흑연도가니를 더 포함하고, 상기 흑연도가니는 상기 석영도가니 외부에 배치되어 상기 석영도가니를 지지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장장치.제5항에 있어서,내부에 중공이 형성된 챔버를 더 포함하고, 상기 챔버는 상기 석영도가니, 상기 흑연도가니, 상기 히터, 상기 회전유닛을 내부에 수용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장장치.제 6항에 있어서,단열재를 더 포함하고, 상기 단열재는 상기 히터의 외벽을 감싸도록 원통형으로 형성되고, 상기 히터의 외부측과 상기 챔버의 내벽 사이에 배치되되, 상기 히터에서 제공되는 열이 상기 챔버 내벽으로 확산되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치.실리콘 단결정 잉곳 성장 장치를 제공하는 단계;다결정 실리콘을 제공하는 단계;상기 다결정 실리콘을 석영도가니에 수용하는 단계;히터에서 상기 석영도가니에 열을 제공하는 단계;제어유닛에서 회전유닛을 제어하는 단계;상기 회전유닛이 상기 석영도가니를 회전시키는 단계; 및상기 실리콘이 용융된 경우에, 상부로 끌어올려 잉곳을 성장시키는 단계;를 포함하되, 상기 석영도가니의 회전속도가 1rpm 이하로 제어되도록 하는 단결정 실리콘 잉곳 성장 방법.제 8항에 있어서,상기 히터에서 상기 석영도가니에 열을 제공하는 단계는 상기 석영도가니의 높이의 80~120%에 해당되는 상측부에 열을 제공하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 잉곳 성장 방법.