IPC분류정보
| 국가/구분 |
한국(KR)/공개특허
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| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 |
10-2007-0111604
(2007-11-02)
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| 공개번호 |
10-2009-0045666
(2009-05-08)
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| DOI |
http://doi.org/10.8080/1020070111604
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발명자
/ 주소 |
- 오영남
/ 대전광역시 서구 도마*동 ***-**
- 김용일
/ 서울특별시 송파구 마천*동 ***-**
- 박종원
/ 전북 익산시 영등동 신일아파트 ***동 ****호
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| 출원인 / 주소 |
- 동우 화인켐 주식회사 / 전북 익산시 신흥동 ***-**호
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| 대리인 / 주소 |
-
한양특허법인
(HAN YANG Patent Firm)
-
서울특별시 강남구 역삼동***-**큰길타워*층
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| 심사진행상태 |
취하(심사미청구) |
| 법적상태 |
취하 |
초록
본 발명은 (a)감광성 물질, (b)알칼리 가용성 수지, (c)분자량 1,000 이하의 페놀계 및 아크릴계 모노머 중에서 선택되는 1종 이상의 모노머, (d)화학식 1 내지 4로 표시되는 화합물들로부터 선택되는 1종 이상의 페놀계 화합물, 및 (e)용매를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
대표청구항
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(a)감광성 물질, (b)알칼리 가용성 수지, (c)분자량 1,000 이하의 페놀계 및 아크릴계 모노머 중에서 선택되는 1종 이상의 모노머, (d)하기 화학식 1 내지 4로 표시되는 화합물들로부터 선택되는 1종 이상의 페놀계 화합물, 및 (e)용매를 포함하는 포토레지스트 조성물:[화학식 1]상기 식에서 R1은 각각 독립적으로 H, OH 또는 COOH이며, R2는 탄소 수 1~10의 알킬, 탄소 수 1~10의 아릴, 탄소 수 1~10의 벤질, 탄소 수 1~10의 알킬벤질, 탄소 수 1~10의 아릴벤질, 탄소 수 1~10의 싸이클릭,
(a)감광성 물질, (b)알칼리 가용성 수지, (c)분자량 1,000 이하의 페놀계 및 아크릴계 모노머 중에서 선택되는 1종 이상의 모노머, (d)하기 화학식 1 내지 4로 표시되는 화합물들로부터 선택되는 1종 이상의 페놀계 화합물, 및 (e)용매를 포함하는 포토레지스트 조성물:[화학식 1]상기 식에서 R1은 각각 독립적으로 H, OH 또는 COOH이며, R2는 탄소 수 1~10의 알킬, 탄소 수 1~10의 아릴, 탄소 수 1~10의 벤질, 탄소 수 1~10의 알킬벤질, 탄소 수 1~10의 아릴벤질, 탄소 수 1~10의 싸이클릭, 탄소 수 1~10의 싸이클로알킬 또는 탄소 수 1~10의 싸이클로아릴이다. [화학식 2]상기 식에서 R1은 각각 독립적으로 H, OH 또는 COOH이며, R2는 탄소 수 1~10의 알킬, 탄소 수 1~10의 아릴, 탄소 수 1~10의 벤질, 탄소 수 1~10의 알킬벤질, 탄소 수 1~10의 아릴벤질, 탄소 수 1~10의 싸이클릭, 탄소 수 1~10의 싸이클로알킬 또는 탄소 수 1~10의 싸이클로아릴이다. [화학식 3] 상기 식에서 R1은 각각 독립적으로 H, OH 또는 COOH이며, R2는 탄소 수 1~10의 알킬, 탄소 수 1~10의 아릴, 탄소 수 1~10의 벤질, 탄소 수 1~10의 알킬벤질, 탄소 수 1~10의 아릴벤질, 탄소 수 1~10의 싸이클릭, 탄소 수 1~10의 싸이클로알킬 또는 탄소 수 1~10의 싸이클로아릴이다. [화학식 4]상기 식에서 R1은 각각 독립적으로 H, OH 또는 COOH이다.청구항 1에 있어서, 상기 (d)화학식 1 내지 4 로 표시되는 화합물들로부터 선택되는 1종 이상의 페놀계 화합물이 상기 (a)감광성 물질, (b)알칼리 가용성 수지, (c)분자량 1,000 이하의 페놀계 및 아크릴계 모노머 중에서 선택되는 1종 이상의 모노머, 및 (e)용매로 이루어지는 용액 100 중량부에 대하여 0.1~2.0 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.청구항 1에 있어서, 상기 (a)감광성 물질, (b)알칼리 가용성 수지, (c)분자량 1,000 이하의 페놀계 및 아크릴계 모노머 중에서 선택되는 1종 이상의 모노머, 및 (e)용매로 이루어지는 용액 총 중량에 대하여, (a)감광성 물질이 1~15 중량%, (b)알칼리 가용성 수지가 10~25 중량%, (c)분자량 1,000 이하의 페놀계 및 아크릴계 모노머 중에서 선택되는 1종 이상의 모노머가 1~10 중량%, 및 (e)용매가 50~80 중량%로 포함되며; 상기 (a)감광성 물질, (b)알칼리 가용성 수지, (c)분자량 1,000 이하의 페놀계 및 아크릴계 모노머 중에서 선택되는 1종 이상의 모노머, 및 (e)용매로 이루어지는 용액 100 중량부에 대하여 상기 (d)화학식 1 내지 4로 표시되는 화합물들로부터 선택되는 1종 이상의 페놀계 화합물이 0.1~2.0 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.청구항 1에 있어서, 상기 (a)감광성 물질이 나프토퀴논 디아지드계 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.청구항 1에 있어서, 상기 (b)알칼리 가용성 수지가 노볼락 수지인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.청구항 1에 있어서, 상기 (c)분자량 1,000 이하의 페놀계 및 아크릴계 모노머 중에서 선택되는 1종 이상의 모노머가 분자량 1,000 이하의 페놀계 모노머인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.청구항 1에 있어서, 상기 (e)용매가 2-헵타논과 감마 부티로락톤을 95:5의 중량비의 비율로 혼합한 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.청구항 1 내지 청구항 7 중의 어느 한 항에 있어서, 파장 365 ㎚ (i-선)용, 436 ㎚ (g-선)용 또는 408 ㎚ (h-선)용으로 사용되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
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