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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 | 10-2011-0080170 (2011-08-11) | |
| 공개번호 | 10-2013-0017615 (2013-02-20) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020110080170 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
| 법적상태 | 거절 |
포토레지스트 조성물, 이를 이용한 패턴의 제조 방법 및 표시 기판의 제조 방법에서, 포토레지스트 조성물은 알칼리 가용성 수지, 퀴논 디아지드계 감광성 화합물, 다가 페놀계 화합물 및 용매를 포함한다. 이에 따라, 약 392 nm 내지 417 nm의 파장의 광에 대한 광감도와, 이를 이용하여 형성한 포토 패턴 및 박막 패턴의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
알칼리 가용성 수지;퀴논 디아지드계 감광성 화합물;하기 화학식 1로 나타내는 다가 페놀계 화합물; 및용매를 포함하는 포토레지스트 조성물;<화학식 1>상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4 및 R5 각각은 독립적으로 수소 원자 또는 하기 화학식 2로 나타내는 작용기 중에서 선택된 어느 하나를 나타내고,<화학식 2>상기 화학식 2에서 R6, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, n은 0 내지 3의 정수를 나타내며, R10은 탄소수 1 내지 6의 알
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