IPC분류정보
국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 |
10-2007-0115350
(2007-11-13)
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공개번호 |
10-2009-0049204
(2009-05-18)
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등록번호 |
10-0924318-0000
(2009-10-23)
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DOI |
http://doi.org/10.8080/1020070115350
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발명자
/ 주소 |
- 임현순
/ 충남 아산시 신창면 행목리 ***-* 대주아파트 ***동 ***호
- 박주현
/ 충청남도 천안시 쌍용동 **** 월봉일성아파트 ***동 ****호
- 서동철
/ 충남 천안시 불당동 대동 다숲아파트 ***동 ***호
- 주현상
/ 충남 아산시 배미동 서진아파트 ***동 ****호
- 김상진
/ 충남 아산시 신창면 행목리 ***-* 대주아파트 ***동 ***호
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출원인 / 주소 |
- 금호석유화학 주식회사 / 서울특별시 종로구 신문로*가 ***번지 금호아시아나 본관
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대리인 / 주소 |
-
김능균
(KIM, Nung Kyun)
-
서울 서초구 서초동 ****-* 허브원빌딩 ***호 김능균국제특허법률사무소
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심사청구여부 |
있음 (2007-11-13) |
심사진행상태 |
등록결정(일반) |
법적상태 |
등록 |
초록
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본 발명은 액침 포토레지스트용 중합체 및 이를 포함하는 액침 포토레지스트용 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하기 화학식 100으로 표시되는 액침 포토레지스트용 중합체에 관한 것이다. 화학식 100상기식에서 R1 및R4는 각각 독립적으로 수소원자, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 아세탈기, 에폭시기, 나이트릴기, 또는 알데하이드기를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1내지20까지의 알킬기를 나타내며, R2는 수소 또는 메틸기이고, R3는 탄소수 1내지 10까지의 직쇄상, 측쇄상 알킬 또는 시클로 알킬기이고, X는 H 또는 C
본 발명은 액침 포토레지스트용 중합체 및 이를 포함하는 액침 포토레지스트용 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하기 화학식 100으로 표시되는 액침 포토레지스트용 중합체에 관한 것이다. 화학식 100상기식에서 R1 및R4는 각각 독립적으로 수소원자, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 아세탈기, 에폭시기, 나이트릴기, 또는 알데하이드기를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1내지20까지의 알킬기를 나타내며, R2는 수소 또는 메틸기이고, R3는 탄소수 1내지 10까지의 직쇄상, 측쇄상 알킬 또는 시클로 알킬기이고, X는 H 또는 CF3 이며, l,m,n은 각각 주쇄 내의 반복단위를 나타내는 수로써, l+m+n=1이고, 0.1<l/(l+m+n)≤0.6, 0.1<m/(l+m+n)≤0.6, 0.1<n/(l+m+n)≤0.4이다. 본 발명의 액침 포토레지스트 중합체는 액침 노광시에 KrF(248nm) 및 ArF(193nm) 노광 파장에 있어 충분한 투과도를 가지며 포토레지스트 코팅 후 레지스트 필름 표면의 성질을 개질하여 물에 대한 안정한 막을 형성하므로 레지스트 표면에서의 용출을 막고 액침 노광에 필요한 적당한 리시딩 앵글(receding angle)값의 조절이 가능하다. 또한 방사선 조사시에 발생될 수 있는 water mark defect이나 bubble defect을 최소화 할 수 있다.
대표청구항
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하기 화학식 100으로 표시되는 액침 포토레지스트용 중합체. 화학식 100상기식에서 R1 및R4는 각각 독립적으로 수소원자, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 아세탈기, 에폭시기, 나이트릴기, 또는 알데하이드기를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1내지20까지의 알킬기를 나타내며, R2는 수소 또는 메틸기이고, R3는 탄소수 1내지 10까지의 직쇄상, 측쇄상 알킬 또는 시클로 알킬기이고, X는 H 또는 CF3 이며, l,m,n은 각각 주쇄 내의 반복단위를 나타내는 수로써, l+m+n=1이고, 0.1<l/(l+m+n)≤0.6,
하기 화학식 100으로 표시되는 액침 포토레지스트용 중합체. 화학식 100상기식에서 R1 및R4는 각각 독립적으로 수소원자, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 아세탈기, 에폭시기, 나이트릴기, 또는 알데하이드기를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1내지20까지의 알킬기를 나타내며, R2는 수소 또는 메틸기이고, R3는 탄소수 1내지 10까지의 직쇄상, 측쇄상 알킬 또는 시클로 알킬기이고, X는 H 또는 CF3 이며, l,m,n은 각각 주쇄 내의 반복단위를 나타내는 수로써, l+m+n=1이고, 0.1<l/(l+m+n)≤0.6, 0.1<m/(l+m+n)≤0.6, 0.1<n/(l+m+n)≤0.4이다. 제 1항에 있어서, 중량평균분자량이 3,000내지 50,000 인 것임을 특징으로 하는 액침 포토레지스트용 중합체. 하기 화학식 100으로 표시되는 액침 포토레지스트용 중합체, 광산발생제 및 유기용매를 포함하는 액침 포토레지스트용 조성물. 화학식 100상기식에서 R1 및R4는 각각 독립적으로 수소원자, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 아세탈기, 에폭시기, 나이트릴기, 또는 알데하이드기를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1내지20까지의 알킬기를 나타내며, R2는 수소 또는 메틸기이고, R3는 탄소수 1내지 10까지의 직쇄상, 측쇄상 알킬 또는 시클로 알킬기이고, X는 H 또는 CF3 이며, l,m,n은 각각 주쇄 내의 반복단위를 나타내는 수로써, l+m+n=1이고, 0.1<l/(l+m+n)≤0.6, 0.1<m/(l+m+n)≤0.6, 0.1<n/(l+m+n)≤0.4이다. 제 4항에 있어서, 상기 화학식 1, 2및 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 포토레지스트용 중합체중에서 선택된 1종 이상의 중합체를 첨가제로서 포토레지스트 전체 조성물에 대해 0.01몰% 내지 10 몰% 포함되는 것임을 특징으로하는 액침 포토레지스트용 조성물.
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