다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
|---|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
|
|
| 출원번호 | 10-2021-0093676 (2021-07-16) | |
| 공개번호 | 10-2023-0012876 (2023-01-26) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020210093676 | |
| 발명자 / 주소 |
|
|
| 출원인 / 주소 |
|
|
| 대리인 / 주소 |
|
|
| 심사청구여부 | 있음 (2021-07-16) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 공개 |
본 발명은 반도체 소자의 ＭＩＭ 커패시터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 실시예에 따른 MIM 커패시터는 기판 상에 형성된 제1 층간 절연막; 상기 제1 층간 절연막 상에 형성된 복수의 하부 전극; 상기 복수의 하부 전극 사이에 각각 형성된 복수의 개구부; 상기 복수의 하부 전극 및 복수의 개구부를 덮는 하나의 유전막; 및 상기 하나의 유전막 상에 형성된 하나의 상부 전극을 포함하고, 상기 하나의 유전막은 상기 복수의 하부 전극의 측면 및 상면과 접촉하고, 상기 하나의 유전막은 상기 제1 층간 절연막과 직접 접촉하는 것을 특징으
기판 상에 형성된 제1 층간 절연막;상기 제1 층간 절연막 상에 형성된 복수의 하부 전극;상기 복수의 하부 전극 사이에 각각 형성된 복수의 개구부;상기 복수의 하부 전극 및 복수의 개구부를 덮는 하나의 유전막; 및 상기 하나의 유전막 상에 형성된 하나의 상부 전극을 포함하고, 상기 하나의 유전막은 상기 복수의 하부 전극의 측면 및 상면과 접촉하고,상기 하나의 유전막은 상기 제1 층간 절연막과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 MIM 커패시터.
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.