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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0750764 (2013-01-25) |
등록번호 | US-8933514 (2015-01-13) |
우선권정보 | JP-2012-040890 (2012-02-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 0 |
The orientation polarization (positive and negative) of the Si—N bonds and the Si—O bonds is canceled, thereby enabling to minimize the polarization in a capacitive insulating film. As a result, a silicon oxynitride film with a small voltage secondary coefficient is formed, and is applied as a capac
1. A semiconductor device having a MIM (Metal-Insulator-Metal) capacitor, the MIM capacitor comprising: a lower electrode;an upper electrode, anda capacitive insulating film which is arranged between the lower electrode and the upper electrode,wherein the capacitive insulating film is a silicon oxyn
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