초록 ▼

본 발명은 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판을 처리하는 장비에 관한 것으로서,서로 고립된 영역을 갖도록 하는 결합부를 사이에 두고 상하로 적층된 하부 챔버바디 및 상부 챔버바디; 상기 하부 챔버바디의 좌우에 각각 고립되어 형성되며, 한 장의 웨이퍼를 각각 로딩/언로딩 하는 리프트 핀을 구비한 제1 하부독립처리영역 및 제2 하부독립처리영역; 및 상기 상부 챔버바디의 좌우에 각각 고립되어 형성되며, 웨이퍼를 로딩/언로딩 하는 복수 개의 슬롯을 각각 구비한 제3 상부독립처리영역 및 제4 상부독립처리영역을 포함한 구조를 갖는 상하좌우 독립처리

본 발명은 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판을 처리하는 장비에 관한 것으로서,서로 고립된 영역을 갖도록 하는 결합부를 사이에 두고 상하로 적층된 하부 챔버바디 및 상부 챔버바디; 상기 하부 챔버바디의 좌우에 각각 고립되어 형성되며, 한 장의 웨이퍼를 각각 로딩/언로딩 하는 리프트 핀을 구비한 제1 하부독립처리영역 및 제2 하부독립처리영역; 및 상기 상부 챔버바디의 좌우에 각각 고립되어 형성되며, 웨이퍼를 로딩/언로딩 하는 복수 개의 슬롯을 각각 구비한 제3 상부독립처리영역 및 제4 상부독립처리영역을 포함한 구조를 갖는 상하좌우 독립처리영역을 갖는 이중적재 구현 로드락 챔버를 제공함으로써, 1회 이송 또는 반송 작업 시 마다 최소 2장의 웨이퍼를 각각 이송 또는 반송 처리 할 수 있어서 결국 생산성 향상에 크게 기여하는 장점이 있다.

대표청구항 ▼

서로 고립된 영역을 갖도록 하는 3mm 내지 50 mm의 간격을 갖는 결합부를 사이에 두고 상하로 적층된 하부 챔버바디 및 상부 챔버바디;상기 하부 챔버바디의 좌우에 각각 고립되어 형성되며, 한 장의 웨이퍼를 각각 로딩/언로딩 하는 리프트 핀을 구비한 제1 하부독립처리영역 및 제2 하부독립처리영역; 및 상기 상부 챔버바디의 좌우에 각각 고립되어 형성되며, 웨이퍼를 로딩/언로딩 하는 복수 개의 슬롯을 각각 구비한 제3 상부독립처리영역 및 제4 상부독립처리영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 상하좌우 독립처리영역을 갖는 이중적재 구현

서로 고립된 영역을 갖도록 하는 3mm 내지 50 mm의 간격을 갖는 결합부를 사이에 두고 상하로 적층된 하부 챔버바디 및 상부 챔버바디;상기 하부 챔버바디의 좌우에 각각 고립되어 형성되며, 한 장의 웨이퍼를 각각 로딩/언로딩 하는 리프트 핀을 구비한 제1 하부독립처리영역 및 제2 하부독립처리영역; 및 상기 상부 챔버바디의 좌우에 각각 고립되어 형성되며, 웨이퍼를 로딩/언로딩 하는 복수 개의 슬롯을 각각 구비한 제3 상부독립처리영역 및 제4 상부독립처리영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 상하좌우 독립처리영역을 갖는 이중적재 구현 로드락 챔버.