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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2007-0139793 (2007-12-28) |
공개번호 | 10-2009-0071862 (2009-07-02) |
등록번호 | 10-0941934-0000 (2010-02-04) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020070139793 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2007-12-28) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판을 처리하는 장비에 관한 것으로서,서로 고립된 영역을 갖도록 하는 결합부를 사이에 두고 상하로 적층된 하부 챔버바디 및 상부 챔버바디; 상기 하부 챔버바디의 좌우에 각각 고립되어 형성되며, 한 장의 웨이퍼를 각각 로딩/언로딩 하는 리프트 핀을 구비한 제1 하부독립처리영역 및 제2 하부독립처리영역; 및 상기 상부 챔버바디의 좌우에 각각 고립되어 형성되며, 웨이퍼를 로딩/언로딩 하는 복수 개의 슬롯을 각각 구비한 제3 상부독립처리영역 및 제4 상부독립처리영역을 포함한 구조를 갖는 상하좌우 독립처리
서로 고립된 영역을 갖도록 하는 3mm 내지 50 mm의 간격을 갖는 결합부를 사이에 두고 상하로 적층된 하부 챔버바디 및 상부 챔버바디;상기 하부 챔버바디의 좌우에 각각 고립되어 형성되며, 한 장의 웨이퍼를 각각 로딩/언로딩 하는 리프트 핀을 구비한 제1 하부독립처리영역 및 제2 하부독립처리영역; 및 상기 상부 챔버바디의 좌우에 각각 고립되어 형성되며, 웨이퍼를 로딩/언로딩 하는 복수 개의 슬롯을 각각 구비한 제3 상부독립처리영역 및 제4 상부독립처리영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 상하좌우 독립처리영역을 갖는 이중적재 구현
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