초록

웨이퍼 뒷면의 결함을 제어할 수 있는 웨이퍼 결함 제어방법이 개시된다. 본 발명의 웨이퍼 결함 제어방법은 챔버의 내부로 식각제를 공급하여 챔버의 내면을 식각하는 단계 및 챔버의 내부로 코팅제를 공급하여 식각된 챔버의 내면을 코팅하는 단계를 포함하고, 코팅제의 공급시간은 40 내지 60sec이다. 따라서, 웨이퍼를 수용하는 프로세서 챔버의 내면으로 일정 두께로 코팅제가 코팅되도록 하여 Cl-에 의한 웨이퍼 뒷면의 결함을 방지할 수 있다.

대표청구항 ▼

웨이퍼 표면의 결함을 제어하는 웨이퍼 결함 제어방법에 있어서,상기 챔버의 내부로 식각제를 공급하여 상기 챔버의 내면을 식각하는 단계; 및상기 챔버의 내부로 코팅제를 공급하여 식각된 상기 챔버의 내면을 코팅하는 단계;를 포함하고, 상기 코팅제의 공급시간은 40 내지 60sec인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 결함 제어방법.제1항에 있어서,상기 식각제의 공급시간은 40 내지 60sec인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 결함 제어방법.제1항에 있어서,상기 챔버의 내부온도는 1100 내지 1200℃인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 결함 제어방법.제1항

웨이퍼 표면의 결함을 제어하는 웨이퍼 결함 제어방법에 있어서,상기 챔버의 내부로 식각제를 공급하여 상기 챔버의 내면을 식각하는 단계; 및상기 챔버의 내부로 코팅제를 공급하여 식각된 상기 챔버의 내면을 코팅하는 단계;를 포함하고, 상기 코팅제의 공급시간은 40 내지 60sec인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 결함 제어방법.제1항에 있어서,상기 식각제의 공급시간은 40 내지 60sec인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 결함 제어방법.제1항에 있어서,상기 챔버의 내부온도는 1100 내지 1200℃인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 결함 제어방법.제1항에 있어서,상기 식각제는 염화수소(HCl)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 결함 제어방법.