최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC9판) |
|
출원번호 | 10-2008-0082773 (2008-08-25) |
공개번호 | 10-2010-0024087 (2010-03-05) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020080082773 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
반도체 공정 제어 방법에 따르면, 광학적 임계치수(optical CD:OCD) 계측 장비를 이용해서 웨이퍼들 상의 패턴들의 평균 임계 치수(CD)를 계측한다. 공정 단위별로 웨이퍼들의 실제 임계 치수들을 인-라인-SEM(in-line-SEM) 장비를 이용해서 계측한다. 상기 실제 임계 치수들을 근거로 상기 평균 임계 치수를 보정한다. 따라서, 패턴의 CD 계측 시간이 짧게 소요되는 ODC 계측 장비와 패턴의 CD를 정확하게 계측할 수 있는 인-라인-SEM 장비를 적절하게 혼용하게 됨으로써, 단시간 내에 패턴의 CD를 정확하게 계측할
광학적 임계치수(optical CD:OCD) 계측 장비를 이용해서 웨이퍼들 상의 패턴들의 평균 임계 치수(CD)를 계측하는 단계; 공정 단위별로 웨이퍼들의 실제 임계 치수들을 인-라인-SEM(in-line-SEM) 장비를 이용해서 계측하는 단계; 및상기 실제 임계 치수들을 근거로 상기 평균 임계 치수를 보정하는 단계를 포함하는 반도체 공정 제어 방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.