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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2008-0115467 (2008-11-20) |
공개번호 | 10-2010-0056593 (2010-05-28) |
등록번호 | 10-1044325-0000 (2011-06-20) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020080115467 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2008-11-20) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
표준 CMOS 공정으로 바이폴라 트랜지스터를 제조할 수 있는 BiCMOS 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 발명의 BiCMOS 소자는 모스 트랜지스터 영역 및 바이폴라 트랜지스터 영역이 한정된 기판, 상기 바이폴라 트랜지스터 영역의 상기 반도체 기판 상에 형성되는 반도체 패턴, 상기 반도체 패턴의 일측 부분에 형성되며 제 1 도전형의 불순물을 갖는 에미터, 상기 반도체 패턴의 타측 부분에 형성되며 상기 제 1 도전형의 불순물을 갖는 콜렉터, 및 상기 에미터 및 상기 콜렉터 사이의 상기 반도체 패턴에 형성되며 제 2 도전형의
모스 트랜지스터 영역 및 바이폴라 트랜지스터 영역이 한정된 기판;상기 바이폴라 트랜지스터 영역의 반도체 기판 상에 형성되는 반도체 패턴;상기 반도체 패턴의 일측 부분에 형성되며 제 1 도전형의 불순물을 갖는 에미터;상기 반도체 패턴의 타측 부분에 형성되며 상기 제 1 도전형의 불순물을 갖는 콜렉터; 상기 에미터 및 상기 콜렉터 사이의 상기 반도체 패턴에 형성되며 제 2 도전형의 불순물을 포함하는 베이스; 상기 모스 트랜지스터 영역 상에 제 1 도전형의 저농도 불순물 영역 및 고농도 불순물 영역으로 구성된 소오스, 드레인 및 상기 소
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