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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2008-0136474 (2008-12-30) |
공개번호 | 10-2010-0078264 (2010-07-08) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020080136474 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 누설전류를 감소시킬 수 있는 MIM 캐패시터의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시 예에 따른 MIM 캐패시터의 제조방법은 반도체 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계와, 상기 하부 전극 상에 제 1 산화알루미늄층, 하프늄다이옥사이드층 및 제 2 산화알루미늄층이 차례로 적층된 구조의 하프늄-알루미늄 산화막을 형성하는 단계와, 상기 하프늄-알루미늄 산화막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
반도체 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계와, 상기 하부 전극 상에 제 1 산화알루미늄층, 하프늄다이옥사이드층 및 제 2 산화알루미늄층이 차례로 적층된 구조의 하프늄-알루미늄 산화막을 형성하는 단계와, 상기 하프늄-알루미늄 산화막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터의 제조방법.
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