초록 ▼

본 발명은 고감도로 자속 밀도가 직접 검출될 수 있고, 소비 전력이나 소비 전류의 적은 미소한 InSb 박막 자기 센서에 이용되는 박막 적층체 및 InSb 박막 자기 센서에 관한 것이다. InSb 박막을 자기 센서부, 또는 자계 검출부로 한 InSb 박막 자기 센서이다. 기판(1) 상에 형성된 InSb 박막인 InSb 동작층(3)과, 이 InSb 동작층(3)보다 고저항 또는 절연성 또는 p형의 전도성을 나타내고, 밴드갭이 InSb보다 큰 층인 AlxGayIn1-x-ySb 혼정층(0≤x, y≤1)(2)을 구비하고 있다. 혼정층(2)은

본 발명은 고감도로 자속 밀도가 직접 검출될 수 있고, 소비 전력이나 소비 전류의 적은 미소한 InSb 박막 자기 센서에 이용되는 박막 적층체 및 InSb 박막 자기 센서에 관한 것이다. InSb 박막을 자기 센서부, 또는 자계 검출부로 한 InSb 박막 자기 센서이다. 기판(1) 상에 형성된 InSb 박막인 InSb 동작층(3)과, 이 InSb 동작층(3)보다 고저항 또는 절연성 또는 p형의 전도성을 나타내고, 밴드갭이 InSb보다 큰 층인 AlxGayIn1-x-ySb 혼정층(0≤x, y≤1)(2)을 구비하고 있다. 혼정층(2)은 기판(1)과 InSb 동작층(3) 사이에 제공되고, Al과 Ga의 원자의 함유율(x+y)이 5.0%로부터 17%의 범위(0.05≤x+y≤0.17)이다.

대표청구항 ▼

기판 상에 형성된 InSb 박막인 InSb층; 및상기 InSb층보다 고저항 또는 절연성을 나타내고, 밴드갭이 InSb보다 큰 층인 AlxGayIn1-x-ySb 혼정층(0≤x, y≤1)을 구비하고;상기 InSb층은 상기 혼정층과의 헤테로 계면에 저전자이동도층을 갖는 박막적층체이고,상기 혼정층은 상기 기판과 상기 InSb층 사이에 제공되고, Al과 Ga의 원자의 함유율(x+y)이 5.0%로부터 17%의 범위(0.05≤x+y≤0.17) 또는 상기 InSb층과 접하는 상기 혼정층의 격자 부정합이 0.25%로부터 1.0%의 범위인 것을 특징

기판 상에 형성된 InSb 박막인 InSb층; 및상기 InSb층보다 고저항 또는 절연성을 나타내고, 밴드갭이 InSb보다 큰 층인 AlxGayIn1-x-ySb 혼정층(0≤x, y≤1)을 구비하고;상기 InSb층은 상기 혼정층과의 헤테로 계면에 저전자이동도층을 갖는 박막적층체이고,상기 혼정층은 상기 기판과 상기 InSb층 사이에 제공되고, Al과 Ga의 원자의 함유율(x+y)이 5.0%로부터 17%의 범위(0.05≤x+y≤0.17) 또는 상기 InSb층과 접하는 상기 혼정층의 격자 부정합이 0.25%로부터 1.0%의 범위인 것을 특징으로 하는 박막 적층체.