초록 ▼

본 발명은 Si 기판 상에 InSb막을 형성하는 것을 가능하게 하고, 홀 소자, 자기 저항 소자 등의 자기 센서나 적외 센서 등의 광 디바이스, 트랜지스터 등의 전자 디바이스에 대한 응용 전개를 공업적으로 제공 가능하게 하는 화합물 반도체 적층체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.Si 기판 (1) 상에 As를 포함하지 않는 화합물 반도체인 활성층 (2)가 직접 형성되어 있다.이 활성층 (2)와 Si 기판 (1)의 단결정층의 계면에 As가 존재하고 있다.화합물 반도체는 적어도 질소를 함유한다.화합물 반도체는 단결정 박막이다.Si 기판

본 발명은 Si 기판 상에 InSb막을 형성하는 것을 가능하게 하고, 홀 소자, 자기 저항 소자 등의 자기 센서나 적외 센서 등의 광 디바이스, 트랜지스터 등의 전자 디바이스에 대한 응용 전개를 공업적으로 제공 가능하게 하는 화합물 반도체 적층체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.Si 기판 (1) 상에 As를 포함하지 않는 화합물 반도체인 활성층 (2)가 직접 형성되어 있다.이 활성층 (2)와 Si 기판 (1)의 단결정층의 계면에 As가 존재하고 있다.화합물 반도체는 적어도 질소를 함유한다.화합물 반도체는 단결정 박막이다.Si 기판 (1)은 벌크 단결정 기판 또는 최상층이 Si인 박막 기판이다.

대표청구항

Si 기판 상에, InxGayAlzSb(x, y, z: 0 이상 1 이하, 단 x, y, z 모두 0인 경우는 제외함)를 포함하며 As를 포함하지 않는 화합물 반도체층을 직접 형성하여 이루어지는 화합물 반도체 적층체에 있어서, 상기 화합물 반도체층과 상기 Si 기판의 계면의 적어도 일부에 As만이 존재하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 적층체.

Si 기판 상에, InxGayAlzSb(x, y, z: 0 이상 1 이하, 단 x, y, z 모두 0인 경우는 제외함)를 포함하며 As를 포함하지 않는 화합물 반도체층을 직접 형성하여 이루어지는 화합물 반도체 적층체에 있어서, 상기 화합물 반도체층과 상기 Si 기판의 계면의 적어도 일부에 As만이 존재하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 적층체.