초록 ▼

본 발명은 반도체 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 전자 이동도가 높고 시트 저항이 비교적 큰 INSB나 INAS막을 SI 기판 상에 형성하는 것을 가능하게 하여, 고감도이며 저소비 전력의 뛰어난 소자를 공업적으로 제공 가능하게 한다. (111)SI 기판(1)상에, 우선, GA, AL, IN, AS, SB, P 중 적어도 2종 이상의 원소로 구성된 제1 화합물 반도체층(2)을 형성하고, 이 제1 화합물 반도체층(2)의 위에 제2 화합물 반도체층(3)으로서 INSB나 INAS를 형성함으로써, 1㎛ 전후의 막 두께로 고전자 이동

본 발명은 반도체 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 전자 이동도가 높고 시트 저항이 비교적 큰 INSB나 INAS막을 SI 기판 상에 형성하는 것을 가능하게 하여, 고감도이며 저소비 전력의 뛰어난 소자를 공업적으로 제공 가능하게 한다. (111)SI 기판(1)상에, 우선, GA, AL, IN, AS, SB, P 중 적어도 2종 이상의 원소로 구성된 제1 화합물 반도체층(2)을 형성하고, 이 제1 화합물 반도체층(2)의 위에 제2 화합물 반도체층(3)으로서 INSB나 INAS를 형성함으로써, 1㎛ 전후의 막 두께로 고전자 이동도이면서, 또한 고저항인 막을 얻을 수 있다. 또한, 얻어진 박막을 이용하여 홀 소자를 형성하여, 고감도이며 비교적 고저항의 소자 형성이 가능해진다.

대표청구항 ▼

(111)면이 기판 표면에 평행인 Si 기판 상에 형성되고 Ga, Al, In, As, Sb, P 중 적어도 2종 이상의 원소로 구성된 제1 화합물 반도체층과, 상기 제1 화합물 반도체층 상에 형성되고 InxGa1-xAsySb1-y(0＜x≤1.0, 0≤y≤1.0)로 이루어지며, 기능층으로서 동작하는 제2 화합물 반도체층과, 상기 제2 화합물 반도체층의 면내 방향으로 전류가 흐르도록, 상기 제2 화합물 반도체층의 양단측에 형성된 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 센서.제1항에 있어서, 상기 제1 화합물 반도체층 및 제2 화합물

(111)면이 기판 표면에 평행인 Si 기판 상에 형성되고 Ga, Al, In, As, Sb, P 중 적어도 2종 이상의 원소로 구성된 제1 화합물 반도체층과, 상기 제1 화합물 반도체층 상에 형성되고 InxGa1-xAsySb1-y(0＜x≤1.0, 0≤y≤1.0)로 이루어지며, 기능층으로서 동작하는 제2 화합물 반도체층과, 상기 제2 화합물 반도체층의 면내 방향으로 전류가 흐르도록, 상기 제2 화합물 반도체층의 양단측에 형성된 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 센서.제1항에 있어서, 상기 제1 화합물 반도체층 및 제2 화합물 반도체층의 (111)면이, 상기 기판 표면에 평행한 것을 특징으로 하는 반도체 센서.제1항에 있어서, 상기 제1 화합물 반도체층이 Al1-zGazAs(0≤z≤1)인 것을 특징으로 하는 반도체 센서.제1항에 있어서, 상기 제2 화합물 반도체층이 InxGa1-xAsySb1-y(0.5≤x＜1.0, O≤y≤1.0)인 것을 특징으로 하는 반도체 센서.제4항에 있어서, 상기 제2 화합물 반도체층이 InAsySb1-y(0≤y≤1)인 것을 특징으로 하는 반도체 센서.제1항에 있어서, 상기 제2 화합물 반도체층의 두께가 0.15㎛ 이상, 2㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 센서.제1항에 있어서, 상기 제2 화합물 반도체층에 불순물이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 센서.제6항에 있어서, 상기 불순물은 Si 또는 Sn인 것을 특징으로 하는 반도체 센서.제1항에 있어서, 상기 제2 화합물 반도체층은 상기 전극과의 접촉부 이외가 패시베이션막으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 반도체 센서.제1항에 있어서, 상기 제2 화합물 반도체층이 감자층(感磁層)이며, 자속 밀도를 검출하는 센서인 것을 특징으로 하는 반도체 센서(111)면이 기판 표면에 평행한 Si 기판 상에 Ga, Al, In, As, Sb, P 중 적어도 2종 이상의 원소로 구성된 제1 화합물 반도체층을 형성하고, 상기 제1 화합물 반도체층 상에 InxGa1-xAsySb1-y(0＜x≤1.0, 0≤y≤1.0)로 이루어지는 제2 화합물 반도체층을 더 형성하고, 상기 제2 화합물 반도체층 상에 복수의 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서의 제조 방법.제10항에 있어서, 상기 제1 화합물 반도체층이 Al1-zGazAs(0≤z≤1)인 것을 특징으로 하는 반도체 센서의 제조 방법.제10항에 있어서, 상기 제2 화합물 반도체층이 InxGa1-xAsySb1-y(0.5≤x≤1.0, 0≤y≤1.0)인 것을 특징으로 하는 반도체 센서의 제조 방법.제13항에 있어서, 상기 제2 화합물 반도체층이 InAsySb1-y(0≤y≤1)인 것을 특징으로 하는 반도체 센서의 제조 방법.제10항에 있어서, 상기 제2 화합물 반도체층의 두께가 0.15㎛ 이상, 2㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 센서의 제조 방법.제10항에 있어서, 상기 제2 화합물 반도체층에 Si 또는 Sn 불순물을 도핑하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서의 제조 방법.