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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-1996-0037490 (1996-08-31) |
| 공개번호 | 10-1998-0017676 (1998-06-05) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1019960037490 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (1996-08-31) |
| 심사진행상태 | 거절결정(일반) |
| 법적상태 | 거절 |
본 발명은 인듐-안티몬계 합금박막의 형성방법에 관한 것으로, 실리콘 웨이퍼를 기판으로 하여 Sb와 In을 순차적으로 적측시키는 단계와, 상기 In 상에 보호막을 증착시켜 다층 박막을 형성시키는 단계와, 상기 다층 박막을 열처리하여 단일 상을 형성시키는 단계와, 상기 열처리 시 전기저항을 측정하는 단계를 구비함으로써 열처리의 시간 및 온도를 정확히 통제하여 높은 전자 이동도를 갖는 InSb 박막을 간단한 공정으로 제조할 수 있는 효과를 가져올 수 있다.
기판상에 Sb와 In을 순차적으로 적층시키는 단계와, 상기 In 상에 보호막을 증착시켜 다층 박막을 형성시키는 단계와, 상기 다층 박막을 열처리하여 InSb 박막 단일상을 형성시키는 단계와, 상기 열처리 시 In-situ 전기저항측정 방법을 이용하여 박막의 전기저항이 급속히 감소하는 온도 및 시점에서 열처리를 종료하는 단계로 이루어지는 인듐-안티몬계 합금박막의 형성방법.
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