[특허]실리콘질화막에 대한 고선택비 식각용 조성물

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실리콘질화막에 대한 고선택비 식각용 조성물 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)	C09K-013/04
출원번호	10-2009-0095300 (2009-10-07)
공개번호	10-2011-0037741 (2011-04-13)
등록번호	10-1097275-0000 (2011-12-15)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020090095300
발명자 / 주소	임정훈 / 대전시 유성구 송강동 송강그린아파트 *동 호 이진욱 / 강원도 춘천시 동내면 신촌리 산수빌 아파트 -** 정찬진 / 충청남도 공주시 옥룡동 * 금강빌라 동 호 이병일 / 경기도 광주시 역동 -* 우덕센스빌 사동 *호 박성환 / 충청북도 청주시 흥덕구 봉명동 세원아파트 동 ***호
출원인 / 주소	솔브레인 주식회사 / 경기도 성남시 분당구 수내동 *- 휴맥스빌리지 *층
대리인 / 주소	권오식; 김종관; 박창희
심사청구여부	있음 (2009-10-07)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록

본 발명은 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물에 관한 것으로, 자세하게는 반도체 공정에서 실리콘질화막을 식각하여 제거함에 있어서, 실리콘산화막의 식각율을 최소화하고 실리콘질화막을 선택적으로 제거할 수 있는 습식 식각용 조성물에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

하기 화학식 1로 표시되는 옥심실란 0.01 내지 5 중량% 및 인산(85중량% 수용액) 95 내지 99.99 중량%를 포함하는 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물[화학식 1][상기 화학식 1에서, R1, R2 및 R3는 서로 독립적으로 수소, (C1-C20)알킬, (C2-C20)알케닐, (C3-C20)시클로알킬, (C6-C20)아릴, (C6-C10)아르(C1-C10)알킬, (C1-C20)알킬카보닐 및 할로겐으로부터 선택되며; R4 및 R5는 서로 독립적으로 (C1-C20)알킬, (C3-C20)시클로알킬, (C6-C20)아릴, (C6-C10)아르(C1-C10)알킬 및 (C1-C20)알킬카보닐로부터 선택되며, 서로 인접한 (C3-C12)알킬렌으로 연결되어 지환족 고리를 형성할 수 있으며; x, y 및 z는 각각 0 내지 3의 정수이며, x+y+z는 0 내지 3의 정수이다.]

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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