초록

나노튜브 또는 CNT의 나노구조물을 직진성 없게 성장하는 나노구조물의 경우에도 2nm이하의 갭필(gapfill)로 유전물질(dielectric)을 증착시켜 CNT의 좋은 나노기공(nanoporosity)으로 인해 높은 캐패시턴스값을 갖는 MIM 캐패시터 및 이를 제조하는 방법이 개시된다.

대표청구항 ▼

기판 상에 촉매층을 생성하고, 상기 촉매층 상에 나노구조물을 성장시키는 단계와,상기 나노구조물이 성장된 기판 상부에 솔젤(Sol-gel)법 공정을 통해 다이렉트릭(Dielectric)을 상기 성장된 나노구조물을 덮일 수 있는 두께로 코팅하는 단계와,상기 다이렉트릭이 코팅된 기판을 베이킹하여 나노구조물의 계면을 경화시키는 단계와,상기 베이킹을 통해 경화된 기판을 아세톤으로 세척하고 큐어링을 수행하여 상부면에 절연체인 계면을 갖는 하부전극을 형성하는 단계와,상부면에 절연체인 계면을 갖는 하부전극이 형성된 기판 상부에 전도성 고분자(co

기판 상에 촉매층을 생성하고, 상기 촉매층 상에 나노구조물을 성장시키는 단계와,상기 나노구조물이 성장된 기판 상부에 솔젤(Sol-gel)법 공정을 통해 다이렉트릭(Dielectric)을 상기 성장된 나노구조물을 덮일 수 있는 두께로 코팅하는 단계와,상기 다이렉트릭이 코팅된 기판을 베이킹하여 나노구조물의 계면을 경화시키는 단계와,상기 베이킹을 통해 경화된 기판을 아세톤으로 세척하고 큐어링을 수행하여 상부면에 절연체인 계면을 갖는 하부전극을 형성하는 단계와,상부면에 절연체인 계면을 갖는 하부전극이 형성된 기판 상부에 전도성 고분자(conducting polymer)나, AuSn 또는 AgSn 보다 점도가 낮은 금속을 도포해준 뒤 전극 형성될 부분을 패터팅하여 상부전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조를 갖는 MIM(Metal-Insulator-Metal) 캐패시터 제조방법.