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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0959396 (2015-12-04) |
등록번호 | US-9525022 (2016-12-20) |
우선권정보 | CN-2012 1 0492190 (2012-11-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
Various embodiments provide an MIM capacitor and fabrication method thereof. An exemplary MIM capacitor can include a dielectric layer disposed over a substrate containing a conductive layer. The dielectric layer can include a groove to expose the conductive layer in the substrate. A first metal lay
1. An MIM capacitor, comprising: a dielectric layer disposed over a substrate containing a conductive layer, wherein the dielectric layer includes a groove to expose the conductive layer in the substrate;a first metal layer disposed on a bottom surface and a bottom portion of a sidewall surface of t
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