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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2010-0010258 (2010-02-04) |
공개번호 | 10-2011-0090467 (2011-08-10) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020100010258 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 반도체 소자의 기판으로 사용되는 웨이퍼에 관한 것으로서, 구체적으로는 웨이퍼 증착 챔버 내의 수분 제거에 관한 것이다.본 발명은 다공질 웨이퍼를 준비하는 단계; 챔버 내에 상기 다공질 웨이퍼를 구비하는 단계; 및 상기 챔버를 900~1500 ℃의 온도에서 프리 런(free run)하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 챔버 내의 수분 제거 방법을 제공한다.따라서, 웨이퍼의 표면에 수소를 주입하고 다공질을 형성하여 챔버 내의 수분을 제거하는 더미 웨이퍼로 사용하고, 챔버 내에서 실리콘 웨이퍼의 에피택셜층 형성을
다공질 웨이퍼를 준비하는 단계;챔버 내에 상기 다공질 웨이퍼를 구비하는 단계; 및상기 챔버를 900~1500 ℃의 온도에서 프리 런(free run)하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 챔버 내의 수분 제거 방법.
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