[특허]포토레지스트 패턴 세정 및 보호막 형성용 조성물

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포토레지스트 패턴 세정 및 보호막 형성용 조성물 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	G03F-007/42 C11D-003/30 G03F-007/40 H01L-021/027
출원번호	10-2011-0028074 (2011-03-29)
공개번호	10-2012-0110301 (2012-10-10)
등록번호	10-1855505-0000 (2018-04-30)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020110028074
발명자 / 주소	장유진 / 경기도 화성시 향남읍 신광길 *-, *호 (동우빌라) 이정열 / 경기도 안양시 만안구 안양천서로 * 동 호 (안양동,진흥아파트) 이재우 / 경기도 부천시 원미구 장말로 , 동 호 (상동, 반달마을) 김재현 / 서울특별시 서초구 서초중앙로 * 동 **호 (서초동,삼풍아파트)
출원인 / 주소	주식회사 동진쎄미켐 / 인천광역시 서구 백범로 *** (가좌동)
대리인 / 주소	이상헌
심사청구여부	있음 (2016-03-28)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록 ▼

이중 노광 패터닝 공정에서 포토레지스트 패턴 세정 및 세정 후 가열에 의해 포토레지스트 패턴 위에 보호막을 형성시키거나, 패턴 수축(shrinkage) 공정에서 선폭(critical dimension: CD)을 증가시킬 수 있는 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 포토레지스트 패턴 세정 및 보호막 형성용 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 가교제; 산촉매제; 계면활성제; 및 용매를 포함한다.[화학식 1] 상기 화학식 1에서, R1은 헤테로 원소를 0 내지 5개 포함하는 탄소수 1 내지 15의

대표청구항

하기 화학식 1로 표시되는 가교제; 산촉매제; 계면활성제; 및 용매를 포함하는 포토레지스트 패턴 세정 및 보호막 형성용 조성물.[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1은 헤테로 원소를 0 내지 5개 포함하는 탄소수 1 내지 15의 사슬형 또는 탄소수 3 내지 15의 분지형 또는 고리형 구조의 아로마틱 또는 알리파틱 탄화수소이고, n은 2 내지 6의 정수이다.

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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