초록 ▼

본 발명은 화학적 기계적 연마 후(post CMP) 세정용 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체 제조 공정에 있어서, 금속 배선 및 금속 막질을 포함하는 반도체 기판의 세정공정, 특히 화학적 기계적 연마 후 금속 배선이 노출된 반도체 기판의 세정에 사용되는 세정용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 세정용 조성물에 따르면, 반도체 작업편 표면에 부착된 불순물을 효과적으로 제거할 수 있으면서도, 금속 배선에 손상을 주지 않으며, 세정 후, 표면에 잔류하지 않아 반도체 작업편을 오염시키지 않기 때문에, 우수한 반도체를 제조할

본 발명은 화학적 기계적 연마 후(post CMP) 세정용 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체 제조 공정에 있어서, 금속 배선 및 금속 막질을 포함하는 반도체 기판의 세정공정, 특히 화학적 기계적 연마 후 금속 배선이 노출된 반도체 기판의 세정에 사용되는 세정용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 세정용 조성물에 따르면, 반도체 작업편 표면에 부착된 불순물을 효과적으로 제거할 수 있으면서도, 금속 배선에 손상을 주지 않으며, 세정 후, 표면에 잔류하지 않아 반도체 작업편을 오염시키지 않기 때문에, 우수한 반도체를 제조할 수 있다.

대표청구항

테트라알킬암모늄 하이드록사이드, 아스코르브 산, 구연산, 및 탈 이온수를 포함하고;상기 테트라알킬암모늄 하이드록사이드 외에 아민류 화합물을 포함하지 않으며, pH가 1 내지 2.5인, 화학적 기계적 연마 후 세정용 조성물.

테트라알킬암모늄 하이드록사이드, 아스코르브 산, 구연산, 및 탈 이온수를 포함하고;상기 테트라알킬암모늄 하이드록사이드 외에 아민류 화합물을 포함하지 않으며, pH가 1 내지 2.5인, 화학적 기계적 연마 후 세정용 조성물.