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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2011-0028074 (2011-03-29) | |
공개번호 | 10-2012-0110301 (2012-10-10) | |
등록번호 | 10-1855505-0000 (2018-04-30) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110028074 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-03-28) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
이중 노광 패터닝 공정에서 포토레지스트 패턴 세정 및 세정 후 가열에 의해 포토레지스트 패턴 위에 보호막을 형성시키거나, 패턴 수축(shrinkage) 공정에서 선폭(critical dimension: CD)을 증가시킬 수 있는 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 포토레지스트 패턴 세정 및 보호막 형성용 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 가교제; 산촉매제; 계면활성제; 및 용매를 포함한다.[화학식 1] 상기 화학식 1에서, R1은 헤테로 원소를 0 내지 5개 포함하는 탄소수 1 내지 15의
하기 화학식 1로 표시되는 가교제; 산촉매제; 계면활성제; 및 용매를 포함하는 포토레지스트 패턴 세정 및 보호막 형성용 조성물.[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1은 헤테로 원소를 0 내지 5개 포함하는 탄소수 1 내지 15의 사슬형 또는 탄소수 3 내지 15의 분지형 또는 고리형 구조의 아로마틱 또는 알리파틱 탄화수소이고, n은 2 내지 6의 정수이다.
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