초록 ▼

본 발명은 중심 금속인 탄탈륨(Ta) 및 상기 탄탈륨에 결합된 알킬이미도기와 시클로펜타디에닐기를 포함하며, 하기의 화학식 1로 표시되는 것인 탄탈륨 전구체 화합물을 제공한다.[화학식 1]R1N=Ta(R2)nCp(O-R0)m상기 화학식 1에서, Cp, R0, R1, R2, n 및 m에 대한 정의는 발명의 상세한 설명에 기재한 바와 같다.상기 탄탈륨 전구체 화합물은 열적 안정성이 높으며, 수분에 대한 내습성이 우수하고, 높은 휘발성을 나타내며, 화학기상 증착법 또는 원자층 증착법를 통하여 탄탈륨을 포함하는 양질의 박막 제조에 유용하고,

본 발명은 중심 금속인 탄탈륨(Ta) 및 상기 탄탈륨에 결합된 알킬이미도기와 시클로펜타디에닐기를 포함하며, 하기의 화학식 1로 표시되는 것인 탄탈륨 전구체 화합물을 제공한다.[화학식 1]R1N=Ta(R2)nCp(O-R0)m상기 화학식 1에서, Cp, R0, R1, R2, n 및 m에 대한 정의는 발명의 상세한 설명에 기재한 바와 같다.상기 탄탈륨 전구체 화합물은 열적 안정성이 높으며, 수분에 대한 내습성이 우수하고, 높은 휘발성을 나타내며, 화학기상 증착법 또는 원자층 증착법를 통하여 탄탈륨을 포함하는 양질의 박막 제조에 유용하고, 고품질의 박막을 생성할 수 있으며, 이를 통해 고집적 강유전체 비휘발성 메모리를 생산할 수 있다.

대표청구항 ▼

중심 금속인 탄탈륨(Ta) 및 상기 탄탈륨에 결합된 알킬이미도기와 시클로펜타디에닐기를 포함하며, 하기의 화학식 1로 표시되는 것인 탄탈륨 전구체 화합물.[화학식 1]R1N=Ta(R2)nCp(O-R0)m(상기 화학식 1에서, Cp는 시클로펜타디에닐기이고, R0는 C1 내지 C10의 알킬기 또는 하기의 화학식 2로 표시되는 치환기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이고, R1은 C1 내지 C6의 알킬기이고, R2는 C1 내지 C10의 알킬기이고, n은 0 내지 1 범위의 정수이고, m은 1 내지 2 범위의 정수이고 n+m은 2 이다)[

중심 금속인 탄탈륨(Ta) 및 상기 탄탈륨에 결합된 알킬이미도기와 시클로펜타디에닐기를 포함하며, 하기의 화학식 1로 표시되는 것인 탄탈륨 전구체 화합물.[화학식 1]R1N=Ta(R2)nCp(O-R0)m(상기 화학식 1에서, Cp는 시클로펜타디에닐기이고, R0는 C1 내지 C10의 알킬기 또는 하기의 화학식 2로 표시되는 치환기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이고, R1은 C1 내지 C6의 알킬기이고, R2는 C1 내지 C10의 알킬기이고, n은 0 내지 1 범위의 정수이고, m은 1 내지 2 범위의 정수이고 n+m은 2 이다)[화학식 2](CR3R4)p-X-R5(상기 화학식 2에서, R3 및 R4는 각각 독립적으로 C1 내지 C10의 알킬기이고, p은 1 내지 3 범위의 정수이고, X는 O 또는 NR이고, R은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기이고, R5는 수소 또는 C1 내지 C4의 알킬기이다)