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연합인증

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금속막 형성용 전구체 조성물, 이를 이용한 금속막 형성 방법 및 상기 금속막을 포함하는 반도체 소자. 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C23C-016/18
  • C07F-007/00
  • C23C-016/448
  • C23C-016/455
  • C23C-016/48
  • C23C-016/50
  • H01L-021/02
  • H01L-021/285
  • H01L-029/51
출원번호 10-2019-0160118 (2019-12-04)
공개번호 10-2020-0072407 (2020-06-22)
우선권정보 대한민국(KR) 1020180159668 (2018-12-12)
DOI http://doi.org/10.8080/1020190160118
발명자 / 주소
  • 홍창성 / 세종특별자치시 보람로 **, ****동 ***호(도담동, 도램마을 **단지)
  • 박용주 / 대전광역시 유성구 구즉로 **, ***동 ***호 (송강그린아파트)
  • 오태훈 / 세종특별자치시 다솜*로 ***, ***동 ****호
  • 황인천 / 경기도 김포시 유현로 **, ***동 ****호
  • 이상경 / 세종특별자치시 한누리대로 ***, 까사리움 ***호
  • 김동현 / 세종특별자치시 한누리대로 ****, 더스테이 ***호
출원인 / 주소
  • 에스케이트리켐 주식회사 / 세종특별자치시 연동면 명학산단로 ***-*
대리인 / 주소
  • 이병진
심사청구여부 있음 (2019-12-04)
심사진행상태 거절결정(재심사)
법적상태 거절

초록

본 발명은 금속막 형성용 전구체 조성물에 관한 것으로서, 하기 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 하나로 표시되는 지르코늄 화합물 및 하기 화학식 4 내지 화학식 6 중 어느 하나로 표시되는 하프늄 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6] (상기 화학식 1 내지 6에서 R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1-C6의 알킬기이며, L은 Si 또는 C1-C3의 연결기이고, X1 내지 X3은 C1 내지 C5의 알킬기 또는 -NR6R7 또는 -OR8이거나

대표청구항

하기 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 하나로 표시되는 지르코늄 화합물 및 하기 화학식 4 내지 화학식 6 중 어느 하나로 표시되는 하프늄 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 형성용 전구체 조성물.[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6](상기 화학식 1 내지 6에서 R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1-C6의 알킬기이며, L은 Si 또는 C1-C3의 연결기이고, X1 내지 X3은 C1 내지 C5의 알킬기 또는 -NR6R7 또는 -OR8이거나 또는 치환기를 포함하거나 포함

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 박막 형성용 조성물 | 정재선, 김현준, 신진호, 오택동, 홍창성, 이상경

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 금속막 형성방법 | 이경주, 서재용, 윤수형, 장홍석, 이민희
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