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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0138220 (2011-12-20) | |
공개번호 | 10-2013-0070943 (2013-06-28) | |
등록번호 | 10-1335855-0000 (2013-11-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110138220 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-12-20) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하는 에칭 용액에 관한 것으로, 보다 상세하게는 드램(DRAM) 및 낸드플래시 메모리의 STI (Shallow Trench Isolation) 및 게이트 전극 형성 공정 등 반도체 제조 공정에서 사용되는 실리콘 질화막을 선택적으로 습식 식각하는데 이용되는 에칭 용액에 관한 것이다.본 발명의 에칭 용액은 인산, 실리콘 산화막 식각 억제제와 물, 또는 인산, 실리콘 산화막 식각 억제제, 실리콘 질화막 식각 증가제와 물을 포함한 형태이며 실리콘 질화막과 실리콘 산화막이 같이 있는 pattern에서
인산 50∼95 중량%, 실리콘 산화막 식각 억제제 10∼3,000 ppm, 및 에칭 용액의 총량이 100 중량%가 되도록 하는 잔량의 물,을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 질화막의 에칭 용액.
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