초록 ▼

본 명세서에 개시된 실시예들은 일반적으로 양극산화처리된 가스 분배 샤워헤드를 가진 장치에 관한 것이다.대면적 평행판 RF 처리 챔버에서, RF 회귀 경로를 마스터하는 것은 힘들 수 있다.아킹은 RF 처리 챔버에서 자주 만나는 문제이다.RF 처리 챔버에서의 아킹을 저감시키기 위해, RF 회귀 경로를 줄이도록 스트랩이 서셉터에 접속될 수 있고, 세라믹 또는 절연성 또는 양극산화처리된 셰도우 프레임이 처리 과정중에 서셉터에 접속될 수 있으며, 양극산화처리된 코팅이 챔버 벽체와 가장 근접한 고온 샤워헤드의 에지에 증착될 수 있다.상기 양극

본 명세서에 개시된 실시예들은 일반적으로 양극산화처리된 가스 분배 샤워헤드를 가진 장치에 관한 것이다.대면적 평행판 RF 처리 챔버에서, RF 회귀 경로를 마스터하는 것은 힘들 수 있다.아킹은 RF 처리 챔버에서 자주 만나는 문제이다.RF 처리 챔버에서의 아킹을 저감시키기 위해, RF 회귀 경로를 줄이도록 스트랩이 서셉터에 접속될 수 있고, 세라믹 또는 절연성 또는 양극산화처리된 셰도우 프레임이 처리 과정중에 서셉터에 접속될 수 있으며, 양극산화처리된 코팅이 챔버 벽체와 가장 근접한 고온 샤워헤드의 에지에 증착될 수 있다.상기 양극산화처리된 코팅은 샤워헤드와 챔버 벽체 간의 아킹을 줄일 수 있으며, 그에 따라 박막 특성을 향상시키고 증착속도를 증대시킨다.

대표청구항 ▼

처리 챔버에서 사용하기 위한 가스 분배 샤워헤드에 있어서,샤워헤드 본체로서, 상기 샤워헤드 본체를 복수의 가스 통로가 관통하여 연장하는, 샤워헤드 본체를 포함하며, 상기 복수의 가스 통로는 상기 샤워헤드 본체의 제 1 표면으로부터 상기 샤워헤드 본체의 제 2 표면까지 연장하고, 상기 샤워헤드 본체의 제 2 표면은:중앙부로서, 상기 중앙부 상에 양극산화처리된(anodized) 절연층이 배치되지 않은, 중앙부; 및상기 처리 챔버의 벽체(wall)를 향하여 외측으로 연장하는 외측 플랜지부로서, 상기 외측 플랜지부가 양극산화처리된 절연층에

처리 챔버에서 사용하기 위한 가스 분배 샤워헤드에 있어서,샤워헤드 본체로서, 상기 샤워헤드 본체를 복수의 가스 통로가 관통하여 연장하는, 샤워헤드 본체를 포함하며, 상기 복수의 가스 통로는 상기 샤워헤드 본체의 제 1 표면으로부터 상기 샤워헤드 본체의 제 2 표면까지 연장하고, 상기 샤워헤드 본체의 제 2 표면은:중앙부로서, 상기 중앙부 상에 양극산화처리된(anodized) 절연층이 배치되지 않은, 중앙부; 및상기 처리 챔버의 벽체(wall)를 향하여 외측으로 연장하는 외측 플랜지부로서, 상기 외측 플랜지부가 양극산화처리된 절연층에 의해 덮힌, 외측 플랜지부를 포함하는,가스 분배 샤워헤드.