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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2012-0148575 (2012-12-18) | |
공개번호 | 10-2014-0079050 (2014-06-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120148575 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2012-12-18) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 산화인듐주석 분말 회수방법 및 이를 이용한 산화인듐주석 타겟의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화인듐주석 타겟의 제조 공정 중 발생하는 폐 산화인듐주석 과립로부터 산화인듐주석 분말을 회수할 수 있는 산화인듐주석 분말 회수방법 및 이를 이용한 산화인듐주석 타겟의 제조방법에 관한 것이다.이를 위해, 본 발명은 산화인듐주석 타겟 제조 공정 중 발생한 폐 산화인듐주석 과립으로부터 산화인듐주석 분말을 회수하는 방법으로서, 인듐산화물, 주석산화물, 및 유기물을 포함하는 폐 산화인듐주석 과립을 분쇄하는 분쇄단계; 및 상기
산화인듐주석 타겟 제조 공정 중 발생한 폐 산화인듐주석 과립으로부터 산화인듐주석 분말을 회수하는 방법으로서,인듐산화물, 주석산화물, 및 유기물을 포함하는 폐 산화인듐주석 과립을 분쇄하는 분쇄단계; 및상기 분쇄단계에 의해 분쇄된 상기 폐 산화인듐주석 과립을 열처리하여 상기 유기물을 제거하는 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 분말 회수방법.
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