초록 ▼

본 발명은 프로세스 챔버(1), 바닥(3) 및 천장(6)을 포함하는 CVD 반응기에 관한 것으로, 레이어로 코팅되도록 기판들(4)을 수용하기 위한 서셉터(2)에 의해 상기 바닥(3)이 형성되고, 가스 흡기 요소(5)의 전체적인 표면 위에 균일하게 분배되는 복수의 가스 흡기 개구들(13, 14)을 포함하는 가스 흡기 요소(5)의 밑면에 의해 상기 천장(6)이 형성되고, 확장의 방향으로 서로 평행하게 이어지는 스트립-유사 또는 밴드-유사 제1 및 제2 가스 흡기 영역들(11, 12) 내로 상기 가스 흡기 개구들(13, 14)이 나누어지

본 발명은 프로세스 챔버(1), 바닥(3) 및 천장(6)을 포함하는 CVD 반응기에 관한 것으로, 레이어로 코팅되도록 기판들(4)을 수용하기 위한 서셉터(2)에 의해 상기 바닥(3)이 형성되고, 가스 흡기 요소(5)의 전체적인 표면 위에 균일하게 분배되는 복수의 가스 흡기 개구들(13, 14)을 포함하는 가스 흡기 요소(5)의 밑면에 의해 상기 천장(6)이 형성되고, 확장의 방향으로 서로 평행하게 이어지는 스트립-유사 또는 밴드-유사 제1 및 제2 가스 흡기 영역들(11, 12) 내로 상기 가스 흡기 개구들(13, 14)이 나누어지고, 제1 프로세스 가스를 상기 프로세스 챔버(1) 내로 도입시키기 위하여 공통의 제1 프로세스-가스 공급 라인(9)에 제1 가스 흡기 영역(11)의 상기 가스 흡기 개구들(13)이 연결되고, 제2 프로세스 가스를 상기 프로세스 챔버(1) 내로 도입시키기 위하여 상기 제1 가스 프로세스-가스 공급 라인(9)과 상이한 공통의 제2 프로세스-가스 공급 라인(10)에 제2 가스 흡기 영역(12)의 상기 가스 흡기 개구들(14)이 연결되고, 그리고 상기 제1 및 제2 가스 흡기 영역들(11, 12)은 서로 나란하게 번갈아 배치되도록 놓인다.확장의 방향에 횡단하여 나란하게 놓인, 각각의 가스 흡기 영역(11, 12)의 복수의 가스 흡기 개구들(13, 14)의 간격(D)은, 상기 프로세스 챔버(1)의 높이(H)의 대략 사분의 일이고, 각각의 가스 흡기 영역(11, 12)의 상기 폭(W)은 상기 높이(H)에 상응한다.

대표청구항 ▼

프로세스 챔버(1)를 구비하는 CVD 반응기로서:상기 프로세스 챔버(1)의 바닥(3)은, 레이어로 코팅될 기판들(4)을 수용하기 위한 서셉터(2)에 의해 형성되고,상기 프로세스 챔버(1)의 천장(6)은, 전체적인 표면 위에 균일하게 분포된 복수의 가스 흡기 개구들(13, 14)을 포함하는, 가스 흡기 요소(5)의 밑면(underside)에 의하여 형성되고,상기 가스 흡기 개구들(13, 14)은, 길이 방향으로 서로 평행하게 연장하는 스트립 형태의 제1 및 제2 가스 흡기 영역들(11, 12)로 나누어지고,상기 프로세스 챔버(1) 내

프로세스 챔버(1)를 구비하는 CVD 반응기로서:상기 프로세스 챔버(1)의 바닥(3)은, 레이어로 코팅될 기판들(4)을 수용하기 위한 서셉터(2)에 의해 형성되고,상기 프로세스 챔버(1)의 천장(6)은, 전체적인 표면 위에 균일하게 분포된 복수의 가스 흡기 개구들(13, 14)을 포함하는, 가스 흡기 요소(5)의 밑면(underside)에 의하여 형성되고,상기 가스 흡기 개구들(13, 14)은, 길이 방향으로 서로 평행하게 연장하는 스트립 형태의 제1 및 제2 가스 흡기 영역들(11, 12)로 나누어지고,상기 프로세스 챔버(1) 내로 제1 프로세스 가스를 도입시키기 위하여, 공통의 제1 프로세스-가스 공급 라인(9)에 제1 가스 흡기 영역(11)의 상기 가스 흡기 개구들(13)이 연결되고,상기 프로세스 챔버(1) 내로 제2 프로세스 가스를 도입시키기 위하여, 상기 제1 프로세스-가스 공급 라인(9)과 상이한 공통의 제2 프로세스-가스 공급 라인(10)에 제2 가스 흡기 영역(12)의 상기 가스 흡기 개구들(14)이 연결되고,상기 제1 및 제2 가스 흡기 영역들(11, 12)은 서로 옆에 번갈아 놓이고,제1 및 제2 가스 흡기 영역(11, 12) 각각은, 상기 제1 및 제2 가스 흡기 영역들(11, 12)의 길이 방향을 횡단하도록(transverse) 나란하게 놓인 복수의 가스 흡기 개구들(13, 14)을 포함하고,서로 상이한 상기 제1 및 제2 프로세스 가스들의 완전한 혼합이 오직 상기 프로세스 챔버(1)의 하반부에서만 이루어지도록, 직접적으로 인접하는 두 개의 가스 흡기 개구들(13, 14)의 간격(D)은, 상기 프로세스 챔버(1)의 높이(H)의 그리고 상기 높이(H)에 상응하는 각각의 가스 흡기 영역(11, 12)의 폭(W)의 사분의 일인,CVD 반응기.