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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2013-0106633 (2013-09-05) | |
공개번호 | 10-2015-0028396 (2015-03-16) | |
등록번호 | 10-2131078-0000 (2020-07-01) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020130106633 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-08-28) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
MIM 커패시터가 제공된다. MIM 커패시터는, 하부 전극, 상기 하부 전극 상의 유전막 및 상기 유전막 상의 상부 전극을 포함하되, 상기 상부 전극은, 제1 농도의 상기 제1 물질을 포함하는 제1 전극과, 제2 농도의 상기 제1 물질을 포함하는 제2 전극과, 제3 농도의 상기 제1 물질을 포함하는 제3 전극을 포함한다.
하부 전극;상기 하부 전극 상의 유전막;및상기 유전막 상의 상부 전극을 포함하되,상기 상부 전극은,제1 농도의 제1 물질을 포함하는 제1 전극과,제2 농도의 상기 제1 물질을 포함하는 제2 전극과,제3 농도의 상기 제1 물질을 포함하는 제3 전극을 포함하고,상기 제2 농도는 상기 제1 농도보다 낮고 상기 제3 농도보다 낮은MIM(Metal-Insulator-Metal) 커패시터.
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