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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2013-0136944 (2013-11-12) |
공개번호 | 10-2015-0054471 (2015-05-20) |
등록번호 | 10-2134577-0000 (2020-07-10) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020130136944 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-11-05) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 화학적 기계적 연마 후(post CMP) 세정용 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체 제조 공정에 있어서, 금속 배선 및 금속 막질을 포함하는 반도체 기판의 세정공정, 특히 화학적 기계적 연마 후 금속 배선이 노출된 반도체 기판의 세정에 사용되는 세정용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 세정용 조성물에 따르면, 반도체 작업편 표면에 부착된 불순물을 효과적으로 제거할 수 있으면서도, 금속 배선에 손상을 주지 않으며, 세정 후, 표면에 잔류하지 않아 반도체 작업편을 오염시키지 않기 때문에, 우수한 반도체를 제조할
테트라알킬암모늄 하이드록사이드, 아스코르브 산, 구연산, 및 탈 이온수를 포함하고;상기 테트라알킬암모늄 하이드록사이드 외에 아민류 화합물을 포함하지 않으며, pH가 1 내지 2.5인, 화학적 기계적 연마 후 세정용 조성물.
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