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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0005401 (2014-01-16) |
공개번호 | 10-2015-0065115 (2015-06-12) |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020130150112 (2013-12-04) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140005401 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-01-16) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 송이버섯 재배 방법에 관한 것으로, 살아있는 소나무를 이용하지 않고 인공적인 배지에서 송이버섯을 단기간에 대량 생산할 수 있는 송이 버섯 재배 방법을 제공하는 것에 목적이 있다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 송이버섯 재배 방법은, 목재로 이루어진 유기물기재, 토양 광물로 이루어진 무기물기재, 및 당류가 용해된 배지양분용액을 혼합하고 숙성하여 고체 배지를 만드는 배지 제조 단계; 상기 배지를 공기 소통은 가능하되 외부의 잡균 및 오염물 침입은 차단하는 포장재에 투입하는 배지 입봉 단계; 상기 배지에 열을 가하여 잡
목재로 이루어진 유기물기재, 토양 광물로 이루어진 무기물기재, 및 당류가 용해된 배지양분용액을 혼합하고 숙성하여 고체 배지를 만드는 배지 제조 단계;상기 배지를 공기 소통은 가능하되 외부의 잡균 및 오염물 침입은 차단하는 포장재에 투입하는 배지 입봉 단계;상기 배지에 열을 가하여 잡균을 제거하는 배지 살균 단계;상기 배지에 송이버섯 종균을 심는 종균 접종 단계;상기 배지에 접종된 종균에서 발생된 송이 균사체를 배지 표면에서 넓게 퍼지도록 생장시키는 균사체 배양 단계; 및상기 배지에 저온 충격 및 회복 상태를 반복적으로 제공하여 균사
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