최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2014-0112565 (2014-08-27) | |
공개번호 | 10-2015-0031175 (2015-03-23) | |
등록번호 | 10-1672590-0000 (2016-10-28) | |
우선권정보 | 미국(US) 14/025,890 (2013-09-13) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140112565 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2014-08-27) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
포토 다이오드를 형성하는 방법이 제공된다.방법은, 기판 위에 제1 픽셀에 대응하는 제1 하부 전극 및 제2 픽셀에 대응하는 제2 하부 전극을 형성하는 단계; 기판 위에 유전체 층을 형성하는 단계; 기판 위의 유전체 층을 패터닝하는 단계; 기판 위에 광변환 층을 형성하는 단계; 광변환 층 위에 상부 전극을 형성하는 단계; 및 상부 전극 위에 컬러 필터 층을 형성하는 단계를 포함하고, 유전체 층의 적어도 일부는 제1 픽셀에 대응하는 컬러 필터 층의 제1 부분을 제2 픽셀에 대응하는 컬러 필터 층의 제2 부분과 분리하고, 유전체 층의 굴
포토 다이오드(photo diode)에 있어서,기판;상기 기판 위의 제1 픽셀에 대응하는 제1 하부 전극; 상기 기판 위의 제2 픽셀에 대응하는 제2 하부 전극;상기 제1 하부 전극과 상기 제2 하부 전극 사이의 제1 유전체 층;상기 제1 하부 전극, 상기 제2 하부 전극 및 상기 제1 유전체 층 위의 광변환 층(photo conversion layer);상기 제1 픽셀에 대응하는 상기 광변환 층의 제1 부분을 상기 제2 픽셀에 대응하는 상기 광변환 층의 제2 부분과 분리하는 제2 유전체 층;상기 광변환 층의 제1 및 제2 부분 및
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.