최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2014-0161522 (2014-11-19) | |
공개번호 | 10-2016-0060200 (2016-05-30) | |
등록번호 | 10-1933739-0000 (2018-12-21) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140161522 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2016-12-23) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법 및 이에 의해 제조된 EUV 리소그래피용 펠리클을 제공한다. EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법은 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 가용성 희생층을 형성하는 단계, 상기 가용성 희생층 상에 펠리클막을 형성하는 단계, 상기 펠리클막 상에 펠리클 프레임을 형성하는 단계 및 상기 가용성 희생층을 식각하여 상기 기판으로부터 상기 펠리클막을 분리시키는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 용매에 용해되는 가용성 물질을 적층하여 이를 희생층으로 사용하고, 그 위에 펠리클용 멤브레인 구조를 적층하여 프레
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 가용성 희생층을 형성하는 단계;상기 가용성 희생층 상에 펠리클막을 형성하는 단계;상기 펠리클막 상에 펠리클 프레임을 형성하는 단계; 및상기 가용성 희생층을 식각하여 상기 기판으로부터 상기 펠리클막을 분리시키는 단계를 포함하고,상기 기판을 준비하는 단계 및 상기 기판 상에 가용성 희생층을 형성하는 단계 사이에 또는 상기 기판 상에 가용성 희생층을 형성하는 단계 및 상기 가용성 희생층 상에 펠리클막을 형성하는 단계 사이에,상기 기판 또는 상기 가용성 희생층 상에 소수성 처리하는 단계를 더 포함하는
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.