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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0038298 (2015-03-19) | |
공개번호 | 10-2016-0113405 (2016-09-29) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150038298 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명에 따른 웨이퍼의 절단 방법은 절단하고자 하는 웨이퍼의 절단 예정 위치에 레이저를 조사하는 과정, 레이저가 조사된 절단 예정 위치에 쿨링 가스를 분사하여 �칭(quenching) 시키는 과정을 포함하고, 절단 예정 위치에 레이저를 조사하기 전에, 상기 레이저가 조사될 위치에 가열된 히팅 가스를 분사한다.따라서, 본 발명에 따른 실시형태에 의하면, 절단 예정 라인에 레이저를 조사하기 전에, 레이저에 의한 가공성을 높이기 위해, 절단 예정 라인에 히팅 가스를 분사하여 가열함으로써, 흡수율을 향상시킨다. 이에, 레이저가 웨이퍼에
절단하고자 하는 웨이퍼의 절단 예정 위치에 레이저를 조사하는 과정;상기 레이저가 조사된 절단 예정 위치에 쿨링 가스를 분사하여 �칭(quenching) 시키는 과정;을 포함하고,상기 절단 예정 위치에 레이저를 조사하기 전에, 상기 레이저가 조사될 위치에 가열된 히팅 가스를 분사하는 과정을 포함하는 웨이퍼의 절단 방법.
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