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연합인증

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[한국특허] 연마 조성물 및 실리콘 산화물막 상의 실리콘 질화물의 선택적 연마 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09K-003/14
  • C09G-001/02
  • H01L-021/306
  • H01L-021/3105
출원번호 10-2015-0044959 (2015-03-31)
공개번호 10-2015-0115645 (2015-10-14)
등록번호 10-1899948-0000 (2018-09-12)
우선권정보 미국(US) 14/245,286 (2014-04-04)
DOI http://doi.org/10.8080/1020150044959
발명자 / 주소
  • 아브후다야 미쉬라 / 미국 애리조나주 ***** 이. 케스케이드 드라이브 길버트 ****
  • 룰링 왕 / 미국 애리조나주 ***** 에스. 파워 로드 아파트 #**** 메사 ****
출원인 / 주소
  • 후지필름 플레이너 솔루션스, 엘엘씨 / 미국 ***** 애리조나주 메사 사우스 마운틴 로드 ****
대리인 / 주소
  • 정홍식; 김태헌
심사청구여부 있음 (2016-10-17)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

선택적으로 실리콘 질화물(SiN) 막을 연마할 수 있고 실리콘 산화물 막 상에서 거의 종료(또는 매우 낮은 비율로 연마)할 수 있는 안정한 수성 연마 조성물이 제공된다. 조성물은 음이온 연마재, 카르복실 또는 카르복실레이트 기를 포함하는 질화물 제거율 개선제, 물, 및 선택적으로 음이온 폴리머를 포함한다. 음이온(음 대전된) 연마재와 질화물 제거율 개선제의 상승적 조합은 CMP 동안 유전체막과 이로운 전하 상호작용과 높은 SiN 비율 및 (산화물에 대한) 선택성 강화 및 안정한 콜로이드 분산된 슬러리를 제공한다.

대표청구항

연마 조성물에 있어서, a) 음이온 연마재;b) 실리콘 산화물의 제거율에 대한 실리콘 질화물의 제거율의 비를 증가시키기 위한, 카르복실산 또는 카르복실/카르복실레이트 기를 포함하는 질화물 제거율 개선제; 및c) 물;을 포함하고,상기 연마 조성물은 2 내지 6.5의 pH를 갖는 것인 연마 조성물.

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [일본] POLISHING SOLUTION AND POLISHING METHOD | KAMIMURA TETSUYA

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 연마액 및 화학적 기계적 연마 방법 | 카미무라 테츠야
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