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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0044959 (2015-03-31) | |
공개번호 | 10-2015-0115645 (2015-10-14) | |
등록번호 | 10-1899948-0000 (2018-09-12) | |
우선권정보 | 미국(US) 14/245,286 (2014-04-04) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150044959 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-10-17) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
선택적으로 실리콘 질화물(SiN) 막을 연마할 수 있고 실리콘 산화물 막 상에서 거의 종료(또는 매우 낮은 비율로 연마)할 수 있는 안정한 수성 연마 조성물이 제공된다. 조성물은 음이온 연마재, 카르복실 또는 카르복실레이트 기를 포함하는 질화물 제거율 개선제, 물, 및 선택적으로 음이온 폴리머를 포함한다. 음이온(음 대전된) 연마재와 질화물 제거율 개선제의 상승적 조합은 CMP 동안 유전체막과 이로운 전하 상호작용과 높은 SiN 비율 및 (산화물에 대한) 선택성 강화 및 안정한 콜로이드 분산된 슬러리를 제공한다.
연마 조성물에 있어서, a) 음이온 연마재;b) 실리콘 산화물의 제거율에 대한 실리콘 질화물의 제거율의 비를 증가시키기 위한, 카르복실산 또는 카르복실/카르복실레이트 기를 포함하는 질화물 제거율 개선제; 및c) 물;을 포함하고,상기 연마 조성물은 2 내지 6.5의 pH를 갖는 것인 연마 조성물.
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