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실리콘 질화막 식각 용액 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09K-013/04
  • C09K-013/06
  • H01L-021/306
출원번호 10-2015-0091005 (2015-06-26)
공개번호 10-2017-0001850 (2017-01-05)
등록번호 10-1733289-0000 (2017-04-27)
DOI http://doi.org/10.8080/1020150091005
발명자 / 주소
  • 한승현 / 경기도 성남시 중원구 사기막골로**번길 ** OCI중앙연구소 (상대원동)
  • 장욱 / 경기도 성남시 중원구 사기막골로**번길 ** OCI중앙연구소 (상대원동)
  • 권유미 / 경기도 성남시 중원구 사기막골로**번길 ** OCI중앙연구소 (상대원동)
출원인 / 주소
  • 오씨아이 주식회사 / 서울특별시 중구 소공로 ** (소공동)
대리인 / 주소
  • 특허법인 대아
심사청구여부 있음 (2015-12-24)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 실리콘 질화막 식각 용액에 관한 것이며, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정에서 습식 식각하는 경우 실리콘 산화막에 비해 실리콘 질화막에 대한 식각 선택비가 높은 식각 용액에 관한 것이다.

대표청구항

인산;하기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 첨가제; 및잔량의 물;을 포함하는, 실리콘 질화막 식각 용액:[화학식 1]여기서, R1 내지 R3는 서로 독립적으로, C1-C10 알킬 또는 C1-C10 알콕시이며,R4는 하기 화학식 3으로 표시되는 알킬 포스포네이트며,[화학식 3]여기서, R5는 서로 독립적으로, 수소, 히드록시, C1-C5 알킬, C1-C5 알콕시 및 C1-C5 할로알킬로부터 선택되고,상기 n은 1 내지 10의 정수이고,R7 및 R8은 서로 독립적으로, C1-C5 알킬이다.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | 조성혁, 홍권, 박형순, 김규현, 한지혜, 임정훈, 이진욱, 박재완, 정찬근
  2. [일본] METHOD FOR REMOVING SiN FILM | KAMISHIRO YASUSHI, NAKAKO TAKEO, NODO TAKAAKI, INADA MAKI, KURODA KYOKO

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. [한국] 실리콘질화막 식각액 조성물 | 박성환
  2. [한국] 절연막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | 김정환, 양윤석, 최경묵, 권기진, 김상태, 최한영
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