초록 ▼

경사진 단일 루프 이온 소스는 자기장부, 전원부를 갖는다. 자기장부는 피처리물을 향하는 일측은 개방되고 일측의 반대편은 폐쇄되며, 일측에는 중앙 자극과 외측 자극이 이격 배치되고, 일측의 반대편은 중앙 자극과 제1,2 외측 자극이 자심으로 연결되며, 중앙 자극에 자석을 구비하여, 일측에서 플라즈마 전자의 가속 루프를 형성하며, 중앙 자극의 중앙부가 굴곡되어 제1 외측 자극 방향의 중앙 자극 일측과 제2 외측 자극 방향의 중앙 자극 타측을 형성한다. 전극은 자기장부의 가속 루프에 배치된다. 제1 외측 자극과 중앙 자극은 제1 평면 상

경사진 단일 루프 이온 소스는 자기장부, 전원부를 갖는다. 자기장부는 피처리물을 향하는 일측은 개방되고 일측의 반대편은 폐쇄되며, 일측에는 중앙 자극과 외측 자극이 이격 배치되고, 일측의 반대편은 중앙 자극과 제1,2 외측 자극이 자심으로 연결되며, 중앙 자극에 자석을 구비하여, 일측에서 플라즈마 전자의 가속 루프를 형성하며, 중앙 자극의 중앙부가 굴곡되어 제1 외측 자극 방향의 중앙 자극 일측과 제2 외측 자극 방향의 중앙 자극 타측을 형성한다. 전극은 자기장부의 가속 루프에 배치된다. 제1 외측 자극과 중앙 자극은 제1 평면 상에 위치하고, 중앙 자극 타측과 제2 외측 자극은 제1 평면과 경사지는 제2 평면 상에 위치한다. 전극은 직사각형 단면의 파이프 형상을 가지며 제1,2 평면 중 인접하는 평면과 평행하게 배치된다.

대표청구항 ▼

이온빔 처리 장치에 있어서, 표면 처리 또는 박막 증착을 위한 내부 공간을 갖는 공정 챔버;상기 공정 챔버 내에서 전처리, 본처리, 또는 후처리 위치에 배치되고, 상기 공정 챔버 내의 플라즈마 전자를 다중 루프로 회전시켜 후방이나 측방으로부터는 이온화 가스를 공급받지 않고 전방의 개방구를 통해 유입하는 상기 공정 챔버 내의 내부 가스로부터 플라즈마 이온을 생성하여 피처리물에 경사지게 공급하는 경사진 단일 루프 이온 소스를 포함하고,상기 경사진 단일 루프 이온 소스는피처리물을 향하는 일측은 개방되고 상기 일측의 반대편은 폐쇄되며, 상

이온빔 처리 장치에 있어서, 표면 처리 또는 박막 증착을 위한 내부 공간을 갖는 공정 챔버;상기 공정 챔버 내에서 전처리, 본처리, 또는 후처리 위치에 배치되고, 상기 공정 챔버 내의 플라즈마 전자를 다중 루프로 회전시켜 후방이나 측방으로부터는 이온화 가스를 공급받지 않고 전방의 개방구를 통해 유입하는 상기 공정 챔버 내의 내부 가스로부터 플라즈마 이온을 생성하여 피처리물에 경사지게 공급하는 경사진 단일 루프 이온 소스를 포함하고,상기 경사진 단일 루프 이온 소스는피처리물을 향하는 일측은 개방되고 상기 일측의 반대편은 폐쇄되며, 상기 일측에는 중앙 자극과 외측 자극이 이격 배치되고, 상기 일측의 상기 반대편은 상기 중앙 자극과 제1,2 외측 자극이 자심으로 연결되며, 상기 중앙 자극에 자석을 구비하여, 상기 일측에서 플라즈마 전자의 가속 루프를 형성하며, 상기 중앙 자극의 중앙부가 굴곡되어 상기 제1 외측 자극 방향의 중앙 자극 일측과 상기 제2 외측 자극 방향의 중앙 자극 타측을 형성하는 자기장부;상기 자기장부의 가속 루프에 배치되는 전극을 포함하고, 상기 전극에 전압을 인가하는 전원부를 포함하며,제1 외측 자극과 상기 중앙 자극은 제1 평면 상에 위치하고, 상기 중앙 자극 타측과 상기 제2 외측 자극은 상기 제1 평면과 경사지는 제2 평면 상에 위치하며, 그리고상기 전극은 직사각형 단면의 파이프 형상을 가지며 상기 제1,2 평면 중 인접하는 평면과 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는, 이온빔 처리 장치.