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연합인증

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[한국특허] 이온빔 처리 방법 및 이온빔 처리 장치 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01J-037/32
  • G21K-005/04
  • H01L-021/302
  • H01L-043/12
  • H05H-001/46
출원번호 10-2015-7000131 (2015-01-05)
공개번호 10-2015-0022975 (2015-03-04)
등록번호 10-1654661-0000 (2016-08-31)
우선권정보 일본(JP) JP-P-2012-146858 (2012-06-29)
국제출원번호 PCT/JP2013/001724 (2013-03-14)
국제공개번호 WO 2014/002336 (2014-01-03)
번역문제출일자 2015-01-05
DOI http://doi.org/10.8080/1020157000131
발명자 / 주소
  • 고다이라 요시미츠 / 일본국 가나가와켄 가와사키시 아사오쿠 구리기 *-*-* 캐논 아네르바 가부시키가이샤 내
  • 다케우치 이사오 / 일본국 가나가와켄 가와사키시 아사오쿠 구리기 *-*-* 캐논 아네르바 가부시키가이샤 내
  • 나카무라 미호코 / 일본국 가나가와켄 가와사키시 아사오쿠 구리기 *-*-* 캐논 아네르바 가부시키가이샤 내
출원인 / 주소
  • 캐논 아네르바 가부시키가이샤 / 일본 가나가와켄 가와사키시 아사오쿠 구리기 *쵸메 *반 *고
대리인 / 주소
  • 문두현
심사청구여부 있음 (2015-01-05)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은, 미세한 패턴에 대해서도 재부착막의 퇴적을 억제할 수 있는 처리 방법 및 이온빔 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.본 발명의 일 실시형태에서는, 기판 위에 형성된 패턴홈이 연장되는 방향측에서 입사하는 이온빔에 의한 에칭량이, 다른 방향측에서 입사하는 이온빔에 의한 에칭량보다 커지도록 이온빔 처리를 행한다.이에 따라, 미세 패턴홈의 바닥에 재부착막이 퇴적되는 것을 억제하면서 미세 패턴을 가공하는 것이 가능해진다.

대표청구항 ▼

그리드(grid)에 의해 플라즈마원(源)으로부터 인출된 이온빔으로, 기판 홀더에 재치(載置)된 기판을 처리하는 이온빔 처리 방법으로서,상기 기판을, 상기 그리드에 대해서 기울여서 위치시키고, 상기 기판을 면내 방향(in-plane direction)으로 회전시키면서 이온빔 에칭을 행할 때에,상기 기판 위에 형성된 패턴홈(pattern trench)이 연장되는 방향측에 상기 그리드가 위치할 경우, 상기 기판의 회전 속도를 다른 경우보다 느리게 함으로써, 상기 기판 위에 형성된 상기 패턴홈이 연장되는 방향측에서 입사하는 이온빔에 의한

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [일본] ION BEAM WORKING METHOD AND DEVICE THEREFOR | FUJISAWA TATSUYA, OISHI SEITARO, ONUKI HISAO
    상세보기
  2. [일본] METHOD OF FLATTENING SOLID SURFACE BY GAS CLUSTER ION BEAM | SUZUKI MITSUKO, SATO AKINOBU, EMMANUEL BOURELLE, MATSUO JIRO, SEKI TOSHIO
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