초록

본 발명은 산화제 및 용매를 포함하는 유기막용 CMP 슬러리에 관한 것으로, 상기 본 발명의 유기막용 CMP 슬러리는 상기 CMP 슬러리에 피연마 대상인 유기막이 코팅된 웨이퍼를 10시간 동안 침지한 후에 측정한 식 (1)로 표시되는 수 접촉각의 변화량 ΔθW가 5° 내지 90°정도이다.

대표청구항 ▼

산화제 및 용매를 포함하는 유기막용 CMP 슬러리 조성물이며,상기 유기막용 CMP 슬러리 조성물에 피연마 대상인 유기막이 코팅된 웨이퍼 시편을 10시간 동안 침지시킨 후 측정한 하기 식 (1)로 표시되는 수 접촉각의 변화량 ΔθW가 5° 내지 90°이고,식 (1) : 수 접촉각 변화량(ΔθW) = │θ1 -θ2│(상기 식(1)에서, θ1은 상기 유기막이 코팅된 웨이퍼 시편을 상기 유기막용 CMP 슬러리 조성물에 침지하기 전에 유기막 표면에 탈이온수(DI WATER)를 적하하여 측정한 수 접촉각이며, θ2는 상기 유기막이 코팅된 웨이

산화제 및 용매를 포함하는 유기막용 CMP 슬러리 조성물이며,상기 유기막용 CMP 슬러리 조성물에 피연마 대상인 유기막이 코팅된 웨이퍼 시편을 10시간 동안 침지시킨 후 측정한 하기 식 (1)로 표시되는 수 접촉각의 변화량 ΔθW가 5° 내지 90°이고,식 (1) : 수 접촉각 변화량(ΔθW) = │θ1 -θ2│(상기 식(1)에서, θ1은 상기 유기막이 코팅된 웨이퍼 시편을 상기 유기막용 CMP 슬러리 조성물에 침지하기 전에 유기막 표면에 탈이온수(DI WATER)를 적하하여 측정한 수 접촉각이며, θ2는 상기 유기막이 코팅된 웨이퍼 시편을 상기 유기막용 CMP 슬러리 조성물에 10시간 동안 침지한 후에 유기막 표면에 탈이온수(DI WATER)를 적하하여 측정한 수 접촉각임),상기 산화제는 Cu2+를 포함하는, 쿠프릭 나이트레이트 또는 쿠프릭 클로라이드를 포함하고,상기 산화제는 상기 유기막용 CMP 슬러리 조성물 중 0.001 내지 5중량%로 포함되는 것인, 유기막용 CMP 슬러리 조성물.