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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0001855 (2016-01-07) | |
등록번호 | 10-1660499-0000 (2016-09-21) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020150136758 (2015-09-25) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160001855 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-01-07) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 명세서는 수직으로 적층된 PIP/MIM 병렬 캐패시터를 통해서 적은 공간을 차지하면서도 높은 값을 갖는 캐패시터를 개시한다. 본 명세서에 따른 PIP/MIM 병렬 캐패시터는, 하단부에 PIP 캐패시터가 적층되고, 상부에는 MIM 캐패시터가 적층될 수 있다.
제1 폴리 실리콘층; 제1 절연층; 제2 폴리 실리콘층; 제2 절연층; 제1 금속층; 제3 절연층; 제2 금속층; 제4 절연층; 제3 금속층; 제5 절연층; 및 제4 금속층;이 순차적으로 적층된 캐패시터에 있어서,상기 제1 금속층 및 제4 금속층은, 음극 단자와 양극 단자의 패턴이 형성된 금속층이며,상기 제1 폴리 실리콘층은 제1 컨택을 통해서 상기 제1 금속층의 음극 단자 및 양극 단자 중 어느 한 단자와 연결되고, 상기 제2 폴리 실리콘층은 제2 컨택을 통해서 상기 제1 금속층의 음극 단자 및 양극 단자 중 다른 단자와 연결되며
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