초록 ▼

본 발명은 가소성수지 및 서브수지(아크릴 또는 PVB)의 중합반응을 이용하여 세라믹시트에 인쇄되는 패턴(내부전극) 자체의 강도 및 내압착성을 높일 수 있고, 패턴(내부전극)의 강도 및 내압착성이 개선됨에 따라 가압공정에 의해 외부 압력이 발생하더라도 설계된 위치 및 형상으로부터 변형되지 않아 칩으로서의 소망의 기능을 발휘할 수 있으며, 서브수지의 함유량을 조절하여 도전성필러의 성능을 저하시키지 않으면서 내압착성을 효율적으로 높일 수 있고, 세라믹시트 및 세라믹 코팅분말의 수축 거동이 유사하게 진행됨에 따라 수축매칭성이 증가하여 시트

본 발명은 가소성수지 및 서브수지(아크릴 또는 PVB)의 중합반응을 이용하여 세라믹시트에 인쇄되는 패턴(내부전극) 자체의 강도 및 내압착성을 높일 수 있고, 패턴(내부전극)의 강도 및 내압착성이 개선됨에 따라 가압공정에 의해 외부 압력이 발생하더라도 설계된 위치 및 형상으로부터 변형되지 않아 칩으로서의 소망의 기능을 발휘할 수 있으며, 서브수지의 함유량을 조절하여 도전성필러의 성능을 저하시키지 않으면서 내압착성을 효율적으로 높일 수 있고, 세라믹시트 및 세라믹 코팅분말의 수축 거동이 유사하게 진행됨에 따라 수축매칭성이 증가하여 시트 및 전극의 딜라미네이션(delamination)을 방지할 수 있으며, 글라스 프릿의 함유성분 및 연화점(Ts)의 조절을 통해 세라믹의 소결을 촉진시켜 코어 및 코팅층의 수축개시시점 및 수축종료시점이 유사한 시기에 진행됨으로써 소결조직의 치밀성이 현저히 증가되어 저항을 절감시킬 수 있는 가소성수지를 적용한 내압착용 전극 페이스트 조성물 및 이를 이용한 칩부품 제조 방법에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

아크릴(Acrylic) 또는 폴리비닐 부티랄(PVB : Polyvinyl butyral)인 서브수지가 첨가된 전극 페이스트를 제조하는 전극 페이스트 제조단계;세라믹시트를 제조하는 시트제조단계;상기 시트제조단계에 의한 세라믹시트의 일면에, 상기 전극 페이스트 제조단계에 의해 제조된 전극 페이스트를 기 설정된 패턴에 따라 인쇄하는 인쇄단계;상기 인쇄단계에 의해 패턴이 인쇄된 세라믹시트를 건조시키는 건조단계;상기 건조단계를 통과한 세라믹시트를 적층시키는 시트적층단계;상기 시트적층단계에 의해 적층된 세라믹시트를 가압시키는 가압단계를 포함하

아크릴(Acrylic) 또는 폴리비닐 부티랄(PVB : Polyvinyl butyral)인 서브수지가 첨가된 전극 페이스트를 제조하는 전극 페이스트 제조단계;세라믹시트를 제조하는 시트제조단계;상기 시트제조단계에 의한 세라믹시트의 일면에, 상기 전극 페이스트 제조단계에 의해 제조된 전극 페이스트를 기 설정된 패턴에 따라 인쇄하는 인쇄단계;상기 인쇄단계에 의해 패턴이 인쇄된 세라믹시트를 건조시키는 건조단계;상기 건조단계를 통과한 세라믹시트를 적층시키는 시트적층단계;상기 시트적층단계에 의해 적층된 세라믹시트를 가압시키는 가압단계를 포함하고,상기 전극 페이스트 제조단계는 도전성필러를 제조하는 도전성필러 제조단계와, 글라스프릿을 제조하는 글라스프릿 제조단계와, 용제를 준비하는 용제 준비단계를 포함하고, 상기 전극 페이스트 제조단계는 상기 도전성필러 제조단계에 의해 제조된 도전성필러 78.0 ~ 90.0 중량%와, 상기 글라스프릿 제조단계에 의해 제조된 글라스프릿 0.1 ~ 5.0 중량%와, 상기 용제 준비단계에 의해 준비된 용제 6.9 ~ 15.0 중량%와, 상기 서브수지 1.5 ~ 4.0 중량%와, 상기 가소성수지 1.5 ~ 4.0 중량%를 혼합 및 교반하여 상기 전극 페이스트를 제조하고,상기 가압단계에 의해 가압된 세라믹시트들을 얇은 판상으로 절개시키는 슬라이싱 단계와, 상기 슬라이싱 단계에 의해 절개된 소체를 소결시키는 소체 소결단계를 더 포함하고,상기 도전성필러 제조단계는분무열분해 공정을 통해 금속분말인 코어의 외면에 세라믹 계열의 코팅층을 피복시킴으로써 상기 소체 소결단계 시 상기 코팅층 및 상기 세라믹시트의 수축매칭성을 증가시키고,상기 글라스프릿 제조단계는 상기 글라스프릿의 연화점(Ts)이 상기 소체 소결단계 시 소결온도 보다 80 ~ 120℃가 낮게 형성되도록 상기 글라스프릿을 제조하고,상기 글라스프릿 제조단계는 54 ~ 56 중량%, CaO 14 ~ 16 중량%, 6 ~ 8 중량%, 10 ~ 11 중량%, ZnO 4 ~ 5 중량%, 3 ~ 4 중량%, 2 ~ 3 중량% 및 1 ~ 3 중량%를 혼합 및 교반하여 상기 글라스프릿을 제조하는 것을 특징으로 하는 칩부품 제조방법.