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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0058744 (2016-05-13) | |
공개번호 | 10-2017-0128709 (2017-11-23) | |
등록번호 | 10-1877029-0000 (2018-07-04) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160058744 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-05-13) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 화학증폭형 네가티브 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 특정 유기산 첨가물을 포함하여 종래 네가티브형 포토레지스트 대비 단파장 노광원에서 공정 마진을 개선하여, 반도체 공정에 적용하기에 적합한 화학증폭형 네가티브 포토레지스트 조성물을 개시한다.
하기 화학식 1로 표시되는 유기산 첨가물을 전체 조성물 중 0.1 내지 1 중량%로 포함하고, 전체 조성물 중 중합체 수지 5 내지 60 중량%, 가교제 1 내지 10 중량%, 광산발생제 0.1 내지 10 중량%, 산확산방지제 0.01 내지 5 중량% 및 나머지는 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 네가티브 포토레지스트 조성물.[화학식 1]
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