하야시 가즈유키
/ 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *방 *고 아사히 가라스 가부시키가이샤 나이
출원인 / 주소
아사히 가라스 가부시키가이샤 / 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *방 *고
대리인 / 주소
특허법인코리아나
심사진행상태
취하(심사미청구)
법적상태
취하
초록▼
(과제) 전사 프로세스용의 마스크로서 사용했을 때에, 패턴 전사 정밀도의 저하를 유의하게 억제할 수 있는 마스크 블랭크.(해결수단) 투명 기판을 갖는 마스크 블랭크에 있어서, 상기 투명 기판은, 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖고, 제 1 주면에는 차광막이 설치되고, 제 2 주면에는 반사 방지막이 배치되고, 상기 반사 방지막은 적어도 2 개의 층을 갖고, 당해 마스크 블랭크에 있어서, 상기 반사 방지막을 제거하고, 파장 193 ㎚ 의 광을 상기 투명 기판의 제 2 주면의 측에서부터 입사각 5°로 조사했을 때에 얻어지는
(과제) 전사 프로세스용의 마스크로서 사용했을 때에, 패턴 전사 정밀도의 저하를 유의하게 억제할 수 있는 마스크 블랭크.(해결수단) 투명 기판을 갖는 마스크 블랭크에 있어서, 상기 투명 기판은, 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖고, 제 1 주면에는 차광막이 설치되고, 제 2 주면에는 반사 방지막이 배치되고, 상기 반사 방지막은 적어도 2 개의 층을 갖고, 당해 마스크 블랭크에 있어서, 상기 반사 방지막을 제거하고, 파장 193 ㎚ 의 광을 상기 투명 기판의 제 2 주면의 측에서부터 입사각 5°로 조사했을 때에 얻어지는 반사율 R1 은 50 % 이상이고, 당해 마스크 블랭크에 있어서, 상기 차광막을 제거하고, 상기 광을 상기 투명 기판의 제 1 주면의 측에서부터 입사각 5°로 조사했을 때에 얻어지는 반사율을 RA 로 하고, 상기 투명 기판만으로 측정되는 동일 반사율을 RS 로 했을 때, 비 RA/RS 가 0.1 이하이다.
대표청구항▼
투명 기판을 갖는 마스크 블랭크로서, 상기 투명 기판은 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖고, 상기 제 1 주면에는 차광막이 설치되고, 상기 제 2 주면에는 반사 방지막이 배치되고, 상기 반사 방지막은, 상기 투명 기판에 가까운 측에서부터 제 1 층 및 제 2 층을 갖고, 당해 마스크 블랭크에 있어서, 상기 반사 방지막을 제거하고, 파장 193 ㎚ 의 광을, 상기 투명 기판의 상기 제 2 주면의 측에서부터 입사각 θ1 = 5°로 조사했을 때에 얻어지는 반사율 R1 은 50 % 이상이고, 당해 마스크 블랭크에 있어서, 상
투명 기판을 갖는 마스크 블랭크로서, 상기 투명 기판은 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖고, 상기 제 1 주면에는 차광막이 설치되고, 상기 제 2 주면에는 반사 방지막이 배치되고, 상기 반사 방지막은, 상기 투명 기판에 가까운 측에서부터 제 1 층 및 제 2 층을 갖고, 당해 마스크 블랭크에 있어서, 상기 반사 방지막을 제거하고, 파장 193 ㎚ 의 광을, 상기 투명 기판의 상기 제 2 주면의 측에서부터 입사각 θ1 = 5°로 조사했을 때에 얻어지는 반사율 R1 은 50 % 이상이고, 당해 마스크 블랭크에 있어서, 상기 차광막을 제거하고, 상기 광을, 상기 투명 기판의 상기 제 1 주면의 측에서부터 입사각 θ2 = 5°로 조사했을 때에 얻어지는 반사율을 RA 로 하고, 상기 투명 기판만으로 측정되는 동일 반사율을 RS 로 했을 때, 비 RA/RS 가 0.1 이하이고, 상기 반사 방지막은, 막두께가 48 ㎚ ∼ 62 ㎚ 의 범위이고, 상기 반사 방지막의 제 1 층은, 알루미늄 (Al), 이트륨 (Y), 및 하프늄 (Hf) 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 산화물 또는 산질화물을 포함하는, 마스크 블랭크.
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